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半導体新規化学プロセス研究会


■担当教員

  小林 光 教授   寺川 澄雄 特任教授

■本研究会のねらい

太陽電池、LSI、TFTなどの半導体製品は、洗浄、酸化、水素処理による欠陥消滅等、多くの化学プロセスを用いて製造されている。本研究会では、化学的転写法、欠陥消滅型半導体洗浄法、硝酸酸化等、新規化学反応を用いて従来技術で製造されたデバイスよりも高性能化が達成できる新規化学プロセスを紹介する。また、新規化学プロセスを太陽電池、LSI、TFTに応用した場合の特性向上に関して議論を行い、デバイスメーカー、装置メーカー、薬品メーカー等と実用化や新産業の創出を目指すと共に、将来のビジネスプランについても議論を行う。

■目指すこと

小林研究室で開発した新規半導体欠陥消滅技術、半導体洗浄技術、絶縁膜低温形成技術の実用化を目指して、これらの技術の詳細な説明を行うと共に、半導体デバイスメーカー、装置メーカー、薬品メーカーと共同で討論を行う。これらの技術を、(1)太陽電池、(2)LSI、(3)TFTの製造プロセスに利用ずるにあたってのメリットを確認して、デメリットを克服するための対策を考案する。デバイスメーカーからの要望を十分に考慮して、太陽電池や半導体デバイス製造装置と薬液の仕様や性能を決定するための議論を行う。

■ 情報提供する技術シーズ

1.硝酸酸化法を用いる極薄SiO2/シリコン構造の低温創製とLSI、 TFT、太陽電池への応用
2.硝酸酸化法を用いる厚膜SiO2/シリコン構造の低温創製とTFTへの応用
3.硝酸酸化法を用いる厚膜SiO2/SiC構造の低温創製とSicデバイスへの応用
4.新規半導体欠陥消滅技術による太陽電池の高効率化
5.欠陥消滅型半導体洗浄法の開発とTFT、LSI、太陽電池への応用
6.化学的転写法による極低反射率シリコンの形成と太陽電池への応用
7.化学的転写法によるシリコン表面の微細構造の形成
8.化学的手法によるSiCウェーハの平坦化技術
9.シリコン切粉からシリコンナノパーティクルの形成
10.シリコンナノパーティクルの発光材料への応用
11.シリコンナノパーティクルによる水の分解と水素発生技術
12.シリコンナノパーティクルによる水素水の生成と活性酸素の除去

■ 例会のご案内

別途研究会よりお知らせします。

■年会費

産研テクノサロン会員: 52,500円、一般企業:105,000円

■ 入会申込書ダウンロード(PDF形式)

お問い合わせ

半導体新規化学プロセス研究会
〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘8-1 大阪大学産業科学研究所 小林研究室
担当:黒崎千香
Tel/Fax : 06-6879-8450