大阪大学産業科学研究所の産業界支援組織　一般財団法人 大阪大学産業科学研究協会

新産業創造研究会

新産業創造研究会では、特定のテーマに関して新産業の創出に向けた最新の情報と深く議論する場を提供します。
また、共同研究や技術移転への発展を模索します。

研究会のご案内

■研究会名称(担当教官)

1.半導体新規化学プロセス研究会 (小林 光、岩佐仁雄、寺川澄雄)
　

■目的

LSI、TFTなどの半導体デバイスは、洗浄、酸化、水素処理による欠陥消滅等、多くの化学プロセスを用いて製造されている。本研究会では、シアン処理による欠陥消滅、硝酸酸化等、新規化学反応を用いて従来技術で製造されたデバイスよりも高性能化が達成できる新規化学プロセスを紹介する。また、新規化学プロセスをLSI、太陽電池、TFTに応用した場合の特性向上に関して議論を行い、デバイスメーカー、装置メーカー、薬品メーカー等と実用化を新産業の創出を目指すと共に、将来のビジネスプランについても議論を行う。

　
■目指すべき内容

小林研究室で開発した新規半導体欠陥消滅技術、半導体洗浄技術、絶縁膜低温形成技術の実用化を目指して、これらの技術の詳細な説明を行うと共に、半導体デバイスメーカー、装置メーカー、薬品メーカーと共同で討論を行う。これらの技術を、(1)太陽電池、(2)LSI、(3)TFTの製造プロセスに利用ずるにあたってのメリットを確認して、デメリットを克服するための対策を考案する。デバイスメーカーからの要望を十分に考慮して、半導体デバイス製造装置と薬液の仕様や性能を決定するための議論を行う。

　
■ 情報提供する技術シーズ

  1. 硝酸酸化法を用いる極薄SiO2/シリコン構造の低温創製とLSI、 TFTへの応用
  2. 硝酸酸化法を用いる厚膜SiO2/シリコン構造の低温創製とTFTへの応用
  3. 硝酸酸化法を用いる厚膜SiO2/SiC構造の低温創製とSicデバイスへの応用
  4. 新規半導体欠陥消滅技術による太陽電池の高効率化
  5. 欠陥消滅型半導体洗浄法の開発とTFT、LSIへの応用

■ 例会のご案内

2010年度第3回例会

　
■年会費

産研テクノサロン会員: 52,500円、一般企業:105,000円

■ 入会申込書のテンプレートのダウンロード(PDF形式)
　

お問い合わせ

一般財団法人 大阪大学産業科学研究協会

〒５６７-００４７
大阪府茨木市美穂ヶ丘８−１　大阪大学産業科学研究所内
Tel/Fax ： ０６−６８７９−８５０７