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産業科学研究所 小林研究室は、表面化学・半導体化学を専門とする研究室です。

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大阪大学産業科学研究所小林研究室

〒567-0047
大阪府茨木市美穂ヶ丘8-1
第二研究棟5階

TEL 06-6879-8451
FAX 06-6879-8454

  ・2017年              2008年以前はこちら
論文 K. Imamura, Y. Kobayashi, S. Matsuda, T. Akai, H. Kobayashi, "Reaction of Si nanopowder with water investigated by FT-IR and XPS", AIP Adv. 7 (2017) 085310-1-10.
[DOI: 10.1063/1.4989794] (Open Access)

T. Matsumoto, H.-S. Joe, H. Kobayashi, “Mechanism of low temperature oxidation of 4H-SiC by nitric acid vapor oxidation method at 600°C", ECS J. Solid State Sci. and Technol. 6 (2017) P578-P581.
[DOI: 10.1149/2.0071709jss] (Open Access)

M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, “Photoluminescence from vibrational excited-states for organic molecules adsorbed on Si nanoparticles", Phys. Chem. Chem. Phys. 19 (2017) 21856-21861.
[DOI: 10.1039/C7CP01836C]
(Open Access a year after publication)


D. Irishika, Y. Onitsuka, K. Imamura, H. Kobayashi, “Improvement of conversion efficiency of silicon solar cells by submicron-textured rear reflector obtained by metal-assisted chemical etching”, Solar RRL, 1 (2017) 1700061-1-4.
[DOI: 10.1002/solr.201700061/epdf]

T. Matsumoto, K. Kimura, H. Nishihara, T. Kasukabe, T. Kyotani, H. Kobayashi, “Fabrication of Si nanopowder from Si swarf and application to high-capacity and low cost Li-ion batteries”, J. Alloys Compd., 720 (2017) 529-540.
[DOI: 10.1016/j.jallcom.2017.05.228]

Y. Kobayashi, S. Matsuda, K. Imamura, H. Kobayashi, “Hydrogen generation by reaction of Si nanopowder with neutral water”, J. Nanopart. Res. 19 (2017) 176-1-9.
[DOI: 10.1007/s11051-017-3873-z] (Open Access)

T. Akai, K. Imamura, H. Kobayashi, "Fabrication mechanism of atomically flat n-type 4H-SiC (000-1) surfaces by electrochemical method", ECS J. Solid State Sci. and Technol. 6 (2017) 265-269.
[DOI: 10.1149/2.0151705jss]

K. Imamura, D. Irishika, H. Kobayashi, “Surface nanocrystalline Si structure for highly efficient crystalline Si solar cells”, Prog. Photovolt. 25 (2018) 358-366.
[DOI: 10.1002/pip.2867]

K. Kimura, T. Matsumoto, H. Nishihara, T. Kasukabe, T. Kyotani and H. Kobayashi, “Improvement of cyclability of Li-ion batteries using c-coated Si nanopowder electrode fabricated from Si swarf with limitation of delithiation capacity”, J. Electrochem. Soc. 164 (2017) A995-A1001.
[DOI: 10.1149/2.0361706jes] (Open Access)

T. Kasukabe, H. Nishihara, K. Kimura, T. Matsumoto, H. Kobayashi, T. Kyotani, “Beads-milling of waste Si sawdust into high-performance nanoflakes for lithium-ion batteries”, Sci. Rep. 7 (2017) 42734-1-10.
[DOI: 10.1038/srep42734] (Open Access)

M. Kopani, M. Mikula, E. Pincik, H. Kobayashi, M. Takahashi, “Effect of HCN passivation on silicon oxide thin layer”, J. Chinese Adv. Mater. Soc. 5 (2017) 57-64.
[DOI: 10.1080/22243682.2016.1256792]

K. Imamura, D. Irishika, H. Kobayashi, “Mechanism of ultra-low reflectivity for nanocrystalline Si/crystalline Si structure formed by surface structure chemical transfer method”, J. Appl. Phys. 121 (2017) 013107-1-5.
[DOI: 10.1063/1.4973531]

K. Imamura, T. Nonaka, Y. Onitsuka, D. Irishika, H. Kobayashi, “Light trapping of crystalline Si solar cells by use of nanocrystalline Si layer plus pyramidal texture”, Appl. Surf. Sci. 395 (2017) 50-55.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.04.132]

T. Matsumoto, H. Nakajima, D. Irishika, T. Nonaka, K. Imamura, H. Kobayashi, “Ultrathin SiO2 layer formed by the nitric acid oxidation of Si (NAOS) method to improve the thermal-SiO2/Si interface for crystalline Si solar cells”, Appl. Surf. Sci. 395 (2017) 56-60.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.06.001]

S. Jurecka, T. Matsumoto, K. Imamura, H. Kobayashi, “Multifractal analysis and optical properties of nanostructured silicon layers”, Appl. Surf. Sci. 395 (2017) 150-156.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.04.059]

E. Pincik, R. Brunner, H. Kobayashi, M. Mikula, M. Kučera, P. Švec Jr., J. Greguš, P. Vojtek, Z. Zábudlá, K. Imamura, M. Zahoran, “About the optical properties of oxidized black silicon structures”, Appl. Surf. Sci. 395 (2017) 185-194.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2016.05.035]

著書・総説
 招待講演 H. Kobayashi, “Surface characteristics of Si nanopowder and its application”, Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2017 (SURFINT-SREN V), Italy, Nov. 20-23 (2017).

K. Imamura, TBA, Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2017 (SURFINT-SREN V), Italy, Nov. 20-23 (2017).

H. Kobayashi, “Si nanopowder for internal hydrogen generation materials”, 6th International Symposium on Advanced Ceramics and Technology for Sustainable Energy Applications toward a Low Carbon Society (ACTSEA 2017), Taiwan, Oct. 31-Nov. 3 (2017).

T. Matsumoto, H. Kobayashi, "Nitric Acid Oxide for Gate Oxide in Thin-Film Transistors and Passivation for Si Solar Cells, and Application of Si Swarf", 7th Annual World Congress of Nano Science and Technology 2017, Japan, Oct. 24-26 (2017).

T. Matsumoto, K. Kimura, H. Kobayashi, “High capacity anode with Si nanopwder fabricated from swarf for lithium ion battery”, 2nd International Conference on Battery and Fuel Cell Technology (Battery Tech 2017), Italy, Jul. 27-28 (2017).

H. Kobayashi, “Highly efficient black Si solar cells fabricated by use of surface structure chemical transfer method”, Collaborative Conference on Materials Research (CCMR 2017), Korea, Jun. 26-30 (2017).

H. Kobayashi, “Si nanopowder for internal hydrogen generation materials”, 9th World Congress on Materials Science and Engineering, Italy, Jun. 12-14, (2017).

H. Kobayashi, “Fabrication and application of Si nanocrystals and nanopowder for energy devices”, EMN Meeting on Surface and interface, Korea, May 22-26 (2017).
口頭発表 今村健太郎,鬼塚裕也,小林光,シリコンナノクリスタル層/結晶シリコン太陽電池のバンド構造の検討,第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡,2017年9月5日~8日.

松本健俊,喜村勝矢,小林光,シリコン切粉を用いたリチウムイオン電池負極の容量制限とインピーダンスの変化,第78回応用物理学会秋季学術講演会,福岡,2017年9月5日~8日.

H. Kobayashi, “Hydrogen generation by the reaction of Si nanopowder with water”, 13th International Conference of Computational Methods in Sciences and Engineering (ICCMSE 2017), Greece, April 21-25 (2017).

松本健俊,喜村勝矢,西原洋知,粕壁隆敏,京谷隆,小林光,シリコン切粉由来のシリコンナノ粒子負極を用いたリチウムイオン電池:初期充放電容量のサイクル特性への効果,電気化学会第84回大会,東京,2017年3月25日~27日.

鬼塚裕也,今村健太郎,小林光,リンケイ酸ガラスによるシリコンナノクリスタル層の表面パッシベーションと結晶シリコン太陽電池の 高効率化,第64回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2017年3月14日~17日.

山田庸介,松本健俊,小林光,PERC型太陽電池での硝酸酸化膜によるシリコン表面のパッシベーション効果,第64回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2017年3月14日~17日.

藤江俊太,小林悠輝,今村健太郎,小林光,シリコンナノ粒子と中性領域の水との反応による水素発生,第64回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2017年3月14日~17日.

松本健俊,喜村勝矢,西原洋知,粕壁隆敏,京谷隆,小林光,切粉由来のシリコンナノ粒子を用いたリチウムイオン電池負極の放電容量制限によるサイクル特性の向上と内部抵抗の低減,第64回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2017年3月14日~17日.
 ポスター
発表
喜村勝矢,松本健俊,西原洋知,粕壁隆敏,京谷隆,小林光,Si切粉から創製したSiナノ粒子負極の充放電容量制限とサイクル特性の関係,電気化学会第84回大会,東京,2017年3月25日~27日.
受賞 9/1
Key Scientific Article. Renewable Energy Global Innovations. (J. Electrochem. Soc. 164 (2017) A995.)

報道発表 8/24
電子デバイス産業新聞 7面
大阪大学産業科学研究所 単純構造のシリコンPV 変換効率20%を達成

8/7
AsianScientist
Rough Surfaces Boost Solar Cell Performance

8/1
SEMICONDUCTOR ENGINEERING
Power/Performance Bits

7/31
日経テクノロジーonline
大阪大、太陽電池の低反射化技術、製造コスト2割減も

7/27
Electronics Weekly.com
Low-cost surface treatment makes better solar cells
SOLAR NOVUS TODAY
Solar Scientists Rough Up Silicon Panels to Boost Light Capture
illumni
SCIENMAG
Osaka solar scientists rough up silicon panels to boost light capture
rinnovabili
Il fv in silicio diventa piu economico “eliminando” il superfluo

7/26
PHYS. ORG
R&D
BeyondRealityNews.com
Nano werk
ScieneceDaily
Solar scientists rough up silicon panels to boost light capture

AlphaGalelio
EnvironmetGuru
Osaka solar scientists rough up silicon panels to boost light capture

7/25
IT media Yahoo!ニュース CLUEZ Japan
太陽電池のコストを低減、反射防止膜を不要にする新手法

7/24
化学工業日報
太陽電池 反射防止膜不要に 阪大 ウエハー表面処理で
Optronics online
阪大,反射防止膜無しの太陽電池で変換効率20%達成

7/21
マイナビニュース ニコニコニュース
Rakuten Infoseek News BIGLOBEニュース
exciteニュース gooニュース
niftyニュース グノシー
反射防止膜を用いない結晶Si太陽電池で変換効率20%を達成 - 阪大

7/18
大阪大学プレスリリース 阪大産研プレスリリース
単純構造のシリコン太陽電池で変換効率20%達成 発電コスト低減に大きく寄与

4/5
一点资讯
日本东北大学和大阪大学利用硅屑开发锂离子电池的负极材料

4/4
微信志
【电池与材料】利用硅屑开发锂离子电池的负极材料

3/24
Recycling International
Silicon nanoflakes a game-changer for battery sector?

3/14
SEMICONDUCTOR ENGINEERING
Power/Performance Bits: March 14 Magnetic storage on one atom; recycling silicon for batteries; DNA switch

3/11
エネクトニュース
スマホ等の電池の高性能化に期待!太陽光電池の産廃を高性能リチウムイオン電池の材料にリサイクル
材料牛
废弃硅碎屑,另类锂电池

3/9
The Manila Times 5面
Japan develops battery components from waste silicon

3/3
INDUSTRY & TECHNOLOGY
Les déchets de silicium trouvent un second souffle dans les batteries lithium-ion

3/2

日経産業新聞 朝刊9面
先端技術 リチウムイオン電池 容量3倍の電極 東北大・阪大

3/1
環境新聞 1面
産廃がリチウムイオン電池に―シリコン切粉から負極材料―資源代替へ、世界需要「賄う」
The American Ceramic Society
Waste silicon sawdust recycled into anode for lithium-ion battery

2/28

ASIAN SCIENTIST
Smashing Silicon To Make Lithium Batteries
WIRELESS DESIGN & DEVELOPMENT
New Method Recycles Silicon Sawdust To Manufacture Lithium-Ion Anodes

2/27

大学ジャーナル
廃棄物で電池を高性能化、充放電800回でも容量維持 東北大学と大阪大学
Printed Electronics WORLD
asia RESEARCH NEWS
Waste silicon sawdust recycled into anode for lithium-ion battery
UPS BATTERY CENTER.COM
Making Anodes from Silicon Scrap

2/25
IdeaCONNECTION
Silicon Sawdust Could Have New Life in Batteries

2/24

IT media
蓄電・発電機器:高性能リチウム電池、産廃シリコンを利用
鉄鋼新聞 5面
東北大と阪大の研究グループ、シリコン切粉のリサイクル法開発 高容量リチウム電池負極材に
American Laboratory
Silicon Sawdust is Transformed into High-Performance Anode for Lithium-Ion Batteries

2/23

EETimes yahooニュース Univ link
Si切粉を負極材に変える新技術:産業廃棄物をリチウムイオン電池材にリサイクル
環境ビジネスオンライン
太陽電池生産時のシリコン切粉、高性能な蓄電池の負極材料にする新技術
日経テクノロジーonline ipros
産廃のシリコン切粉をLiイオン電池の負極材料に
東北大学と大阪大学が開発、黒鉛使用と比べて充電容量も3.3倍に

CHEM EUROPE.COM
Waste silicon sawdust recycled into anode for lithium-ion battery
リサイクルハブ
産廃からリチウムイオン電池の材料を作る技術を開発
the ENGINEER
Silicon sawdust could help power your phone
New Atlas
Silicon sawdust – coming soon to a battery near you?
WORLD INDUSTRIAL REPORTER
Japanese Scientists Use Silicon Sawdust to Create High-Performing Li-Ion Batteries
BITS&CHIPS
Waferzaagstof omgetoverd in efficiënte accu-elektrode

2/22

fabcross for エンジニア
東北大と阪大、産廃のシリコン切粉から高性能リチウムイオン電池負極材料を生産する技術を開発
impress watch yahooニュース
リチウムイオン電池の大容量化に産業廃棄物を活用した新たな道筋 ~東北大/阪大の研究グループ、シリコン切粉を用いて従来容量比3.3倍に
インプレススマートグリッドフォーラム
東北大と大阪大、廃棄物となっていたシリコン切粉から高性能リチウムイオン蓄電池の負極材料を開発
リチウムイオン電池ニュースまとめ
【論文紹介(オープンアクセス)】Beads-Milling of Waste Si Sawdust into High-Performance Nanoflakes for Lithium-Ion Batteries : Scientific Reports
化学工業日報 5面
LiB負極に再利用 東北大 阪大 高容量・長寿命を実現
AZO MATERIALS
Researchers Use Sawdust to Develop Anode Material for Lithium-Ion Batteries
Energy Daily
Waste silicon sawdust recycled into anode for lithium-ion battery
Ebook Recuperacion de plata de Material Radiografico y otros
Waste silicon sawdust recycled into anode for lithium-ion battery

2/21

東北大プレスリリース
廃棄物から高性能リチウムイオン電池負極材料を開発―スマホ等の電池の高性能化に期待―
阪大産研プレスリリース
廃棄物から高性能リチウムイオン電池負極材料を開発
財経新聞 Biglobeニュース Niftyニュース Livedoor News
産業廃棄物を高性能のリチウムイオン電池に変える新技術が開発される
ハザードラボ exciteニュース  
産業廃棄物からリチウムイオン電池の材料を作る技術 東北大などが開発
日本の研究.com
廃棄物から高性能リチウムイオン電池負極材料を開発 -スマホ等の 電池の高性能化に期待-
環境展望台
東北大と大阪大、シリコンウエハの切り屑からリチウムイオン電池負極材料を開発する技術を確立
PHYS.ORG
ScienceDaily 
Nanowerk News

Waste silicon sawdust recycled into anode for lithium-ion battery
Electronics360
Creating Lithium-ion Batteries Using Waste Silicon Sawdust

2/20

プレスリリース
廃棄物から高性能リチウムイオン電池負極材料を開発
日経プレスリリース
東北大と阪大、廃棄物から高性能リチウムイオン電池負極材料を開発
大阪大学研究リリース速報
廃棄物から高性能リチウムイオン電池負極材料を開発
Eurekalert!
Waste silicon sawdust recycled into anode for lithium-ion battery


・2016年
              
論文

A. Ishibashi, H. Kobayashi, T. Taguchi, K. Kondo, T. Kasai, “Optical Simulation for Multi-Striped Orthogonal Photon-Photocarrier-Propagation Solar Cell ((MOPSC)-S-3) with Redirection Waveguide”, 3D Res., 7 (2016) 33-1-5.
[DOI: 10.1007/s13319-016-0109-4]

M.-H. Kim, M.-J. Choi, K. Kimura, H. Kobayashi, D.K. Choi, “Improvement of the positive bias stability of a-IGZO TFTs by the HCN treatment”, Solid-State Electronics, 126 (2016) 87-91.
[DOI: 10.1016/j.sse.2016.09.010]

Y. Usami, K. Imamura, T. Akai, D.-C. Che, H. Ohoyama, H. Kobayashi, T. Matsumoto, “Intra-grain conduction of self-doped polyaniline”, J. Appl. Phys. 120 (2016) 084308-1-7.
[DOI: 10.1063/1.4961610]

E. Pincik, R. Brunner, H. Kobayashi, M. Mikula, P. Vojtek, J. Gregus, Z. Zabudla, K. Imamura, P. Svec, Jr., “The photoluminescence of multicolor silicon”, J. Chin. Adv. Mater. Soc., 4 (2016) 158-171.
[DOI: 10.1080/22243682.2016.1151374]

K. Imamura, K. Kimura, S. Fujie, H. Kobayashi, “Hydrogen generation from water using Si nanopowder fabricated from Si swarf”, J. Nanoparticle Research, 18 (2016) 116-1-7.
[DOI: 10.1007/s11051-016-3418-x]

T. Matsumoto, M. Maeda, H. Kobayashi, “Photoluminescence enhancement of adsorbed species on Si”, Nanoscale Res. Lett., 11 (2016) 7-1-6.
[DOI: 10.1186/s11671-015-1220-9] (Open Access)

著書・総説
総会講演

H. Kobayashi, “~20% efficiency black Si solar cells fabricated by the SSCT method with simple structure”, 14th International Symposium on Novel and Nano Materials (ISNNM-2016), Hungary, July 3-8 (2016).

招待講演 H. Kobayashi, “High efficiency crystalline Si solar cells fabricated with new chemical technologies and Si nanopowder for hydrogen generation and photoluminescence”, Solid State Surfaces and Interface 2016 (SSSI 2016), Slovakia, Nov. 21-24 (2016).

K. Imamura, “High conversion efficiency black Si solar cells with a nanocrystalline Si layer”, Solid State Surfaces and Interface 2016 (SSSI 2016), Slovakia, Nov. 21-24 (2016).

T. Matsumoto, K. Kimura, H. Kobayashi, “Li ion battery with Si nanopowder fabricated from Si swarf”, Solid State Surfaces and Interface 2016 (SSSI 2016), Slovakia, Nov. 21-24 (2016).

小林光,社会を変えるシリコン:太陽電池から医薬応用まで,産研テクノサロン,大阪,2016年5月13日.
口頭発表

H. Kobayashi, R. Imamura, “Hydrogen Generation in the Body to Avoid Oxidation Stress”, 1st International Conference on COI Program, Osaka, Dec. 13 (2016).

赤井智喜,今村健太郎,小林光,電気化学的手法による4H-SiC基板の超平坦化とそのメカニズム,第36回表面科学学術講演会,名古屋,2016年11月29日~12月1日.

入鹿大地,今村健太郎,小林光,極低反射シリコン表面の創製と表面パッシベーションによる結晶シリコン太陽電池の高効率化,第36回表面科学学術講演会,名古屋,2016年11月29日~12月1日.

喜村勝矢,松本健俊,小林光,西原洋知,粕壁隆敏,京谷隆,切粉から創製したSiナノ粒子を用いたリチウムイオン電池負極の粒子サイズ依存性とメカニズムの解明,第57回電池討論会,千葉,2016年11月29日~12月1日.

松本健俊,喜村勝矢,小林光,西原洋知,粕壁隆敏,京谷隆,シリコン切粉由来のシリコンナノ粒子負極を用いたリチウムイオン電池:充放電容量制限のサイクル特性への効果とメカニズム,第57回電池討論会,千葉,2016年11月29日~12月1日.

喜村勝矢,松本健俊,小林光,西原洋知, 粕壁隆敏, 京谷隆, 切粉から創製したSiナノ粒子を負極材料に用いたリチウムイオン電池の充放電特性:粒径と形状依存性,電気化学会第83回大会,大阪,2016年3月29日~31日.

松本健俊,喜村勝矢,小林光,西原洋知, 粕壁隆敏, 京谷隆,切粉からのシリコンナノ粒子の創製とリチウムイオン電池の負極材料への応用,電気化学会第83回大会,大阪,2016年3月29日~31日.

今村健太郎,入鹿大地,鬼塚裕也, 小林光,化学的転写法により形成した極低反射Si表面の光学特性と高効率太陽電池への応用,第63回応用物理学会春季学術講演会,東京,2016年3月19日~22日.

鬼塚裕也, 入鹿大地,今村健太郎,小林光,化学的転写法による極低反射表面と裏面ナノ構造を用いた結晶Si太陽電池の変換効率向上,第63回応用物理学会春季学術講演会,東京,2016年3月19日~22日.

松本健俊,前田譲章,小林光,シリコンナノ粒子上への吸着による巨大フォトルミネッセンス増強のメカニズムの解明,第63回応用物理学会春季学術講演会,東京,2016年3月19日~22日.

 ポスター
発表
D. Irishika, K. Imamura, H. Kobayashi, “Achievement of High Efficiency Nanocrystalline Si/Crystalline Si Solar Cells with PSG passivation”, The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, and 4th KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec. 12-13 (2016).

T. Akai, K. Imamura, H. Kobayashi, “Development of electrochemical planarization method for fabrication of atomically flat 4H-SiC wafers”, The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, and 4th KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec. 12-13 (2016).

K. Kimura, T. Matsumoto, H. Kobayashi, “Greatly Improved of Cyclability for Li-ion Batteries Using Si Nanopowder Electrode Fabricated from Swarf”, The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, and 4th KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec. 12-13 (2016).

Y. Onitsuka, K. Imamura, H. Kobayashi, “Effective passivation method for ultra-low Reflectivity Nanocrystalline Si/Si solar cells using phosphosilicate”, The 20th SANKEN International The 15th SANKEN Nanotechnology Symposium, and 4th KANSAI Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec. 12-13 (2016).

喜村勝矢,松本健俊,小林光,西原洋知,粕壁隆敏,京谷隆,切粉から創製したSiナノ粒子を電極に用いたLi-ion電池の創製と充放電容量制限時における劣化メカニズムの解明,2016年度第3回関西電気化学研究会,大阪,2016年12月10日.

喜村勝矢,松本健俊,小林光,西原洋知,粕壁隆敏,京谷隆,切粉からのSiナノ粒子の創製とLi-ion電池への応用,応用物理学会関西支部平成28年度第1回講演会,大阪,2016年6月17日.


小林光,松本健俊,今村健太郎,長谷川丈二,新規科学プロセスにより作成したナノシリコンの新規材料特性とデバイスへの応用,光・量子ビーム科学合同シンポジウム2016 (Opt 2016),大阪,2016年11月24日~25日.

受賞 K. Imamura, 9th International Conference Solid State Surfaces and Interface Awards in The Best Young Researcher Contribution Content, Nov. 21-24 (2016).
報道発表 5/15 朝日新聞 
[科学の扉]次世代太陽電池 発電量・コスト巡り競争激化

5/12 
電子デバイス産業新聞 
大阪大学 セル効率 19.7% 低反射&光閉じ込め技術で

3/7 EETimes 
災害時に液体水素がなくても大丈夫!:シリコン産廃を燃料電池の水素供給源にする技術

・2015年
              
論文

K. Imamura, T. Nonaka, D. Irishika, H. Kobayashi, “Ultralow reflectivity and light trapping for crysltalline Si solar cells by use of surface structure chemical transfer method on pyramid textured surfaces”, ECS Solid State Lett. 4 (2015) Q63-Q65.
[DOI: 10.1149/2.0091512ssl]

K. Imamura, T. Akai, H. Kobayashi, “High aspect ratio Si micro-holes formed by wet etching using Pt needles”,Mater. Res. Express 2 (2015) 075901-1-6.
[DOI: 10.1088/2053-1591/2/7/075901]

D. Irishika, K. Imamura, H. Kobayashi, “Ultralow reflectivity surfaces by formation of nanocrystalline Si layer for crystalline Si solar cells”, Sol. Energ. Mat. Sol. C. 141 (2015) 1-6.
[DOI: 10.1016/j.solmat.2015.05.006]

T. Matsumoto, H. Tsuji, S. Terakawa, H. Kobayashi, “Ultra-low power poly-Si TFTs with 10 nm stacked gate oxide fabricated by nitric acid oxidation of silicon (NAOS) method”, ECS J. Solid State Sci. Technol., 4 (2015) N36-N40.
[DOI: 10.1149/2.0151505jss] (Open Access)

T. Matsumoto, R. Hirose, F. Shibata, D. Ishibashi, S. Ogawara, H. Kobayashi, Nitric acid oxidation of Si method for improvement of crystalline Si solar cell characteristics by surface passivation effect, Sol. Energ. Mat. Sol. C. 134 (2015) 298-304.
[DOI: 10.1016/j.solmat.2014.11.040]

E. Pincik, R. Brunner, H. Kobayashi, M. Takahashi, M. Mikula, Interaction of KCN solutions with Si-based thin films, J. Chin. Adv. Mater. Soc., 3 (2015) 119-127.
[DOI: 10.1080/22243682.2015.1011693]

著書・総説 小林光,喜村勝矢, 藤江俊太, 小林悠輝, 今村健太郎 シリコン切粉から創製するシリコンナノ粒子と水との反応による水素発生技術,燃料電池 15 (2016) 59-62.
 招待講演

H. Kobayashi, D. Irishika, T. Nonaka, K. Imamura “Si surface control for achieving high conversion efficiencies of crystaline Si solar cells”, Progresss in applied surface, interface and thin film science 2015, Italy, Nov 23-26 (2015).

T. Matsumoto, R. Hirose, H. Nakajima, H. Kobayashi “Improvement of crystalline silicon solar cells by the nitric acid oxidation (NAOS) method”, Progresss in applied surface, interface and thin film science 2015, Italy, Nov 23-26 (2015).

H. Kobayashi “18.9% efficiency crystalline Si solar cells with simple structure fabricated by surface”, ACTSEA-2015, Taiwan, Nov 8-11 (2015).

H. Kobayashi, “Chemical methods for improvement of performance of crystalline Si solar cells”, 2015 Symposium for Eco Multi-Functional Nano Materials & ISO/TC 107 Workshop, Korea, May 15-17 (2015).

H. Kobayashi, “Improvement of crystalline solar cell characteristics by formation of ultralow reflectivity surface using surface structure chemical transfer method”, The 5th Asia-Africa Sustainable Energy Forum and Jointly with 7th International Workshop on Sahara Solar Breeder, Ibaraki, May 10-13 (2015).

H. Kobayashi, “New chemical methods for improvement of conversion efficiency of crystalline Si solar cells”, The 16th international symposium on eco-materials processing and design, Nepal, January 12-15 (2014).

口頭発表

赤井智喜,今村健太郎,小林光,電気化学的手法によるSiC基板の高速平坦化メカニズム,日本物理学会2015秋季大会,大阪,2015年9月16日~19日.

今村健太郎,入鹿大地,野中啓章, 小林光,化学的転写法により形成した極低反射率をもつSiナノクリスタル層/Si構造の光学特性,日本物理学会2015秋季大会,大阪,2015年9月16日~19日.

松本健俊,前田譲章,小林光,シリコンナノ粒子上への吸着によるフォトルミネッセンスの3000倍の増強,日本物理学会2015秋季大会,大阪,2015年9月16日~19日.

K. Imamura, D. Irishika, T. Nonaka, H. Kobayashi, “Ultra‐low reflectivity crystalline Si surfaces fabricated by use of SSCT method and application to high efficiency Si solar cells”, 1st International Conference on Applied Surface Science, Shanghai. China, July 27-30 (2015). 

T. Matsumoto. M. Maeda, H. Kobayashi, “Fabrication of Si nanoparticles from Si swarf and enhancement of photoluminescence”, 1st International Conference on Applied Surface Science, Shanghai. China, July 27-30 (2015). 

赤井智喜,今村健太郎,小林光,回転白金電極を用いるSiC基板の平坦化,第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2015年3月11日~14日.

松田真輔,小林悠輝,赤井智喜,今村健太郎,小林光,シリコンナノ粒子による水の分解と水素濃度,第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2015年3月11日~14日.

前田譲章,松本健俊,小林光,シリコンナノ粒子による吸着分子の発光増強,第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2015年3月11日~14日.

中島寛記,入鹿大地,野中啓章,今村健太郎,松本健俊,小林光,硝酸酸化SiO
2膜と加熱処理によるSi表面のパッシベーション,第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2015年3月11日~14日.

入鹿大地,今村健太郎,小林光,Siナノクリスタル層形成による極低反射化と多結晶Si太陽電池への応用,第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2015年3月11日~14日.

今村健太郎,入鹿大地,野中啓章,小林光,ピラミッド構造への化学的転写法による極低反射Si表面と光閉じ込め,第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2015年3月11日~14日.

松本健俊,前田譲章,喜村勝矢,松田真輔,小林悠輝,今村健太郎,金谷弥生,肥後徹,小林光,シリコン切粉からのシリコンナノパーティクルの作製と応用,第62回応用物理学会春季学術講演会,神奈川,2015年3月11日~14日.

 ポスター
発表

野中啓章,入鹿大地,今村健太郎,小林光,化学的転写法で作製したナノクリスタルSi層に対する表面パッシベーションと結晶Si太陽電池の高効率化,第76回応用物理学会秋季学術講演会,愛知,2015年9月13日~16日.

松本健俊,中島寛記,入鹿大地,野中啓章,今村健太郎,小林光,硝酸酸化膜による結晶型シリコン太陽電池の高効率化,第76回応用物理学会秋季学術講演会,愛知,2015年9月13日~16日.

K. Kimura, T. Matsumoto, Y. Kanatani, T. Higo, H. Kobayashi, “Fabrication of nanoparticles from Si swarf and application to Li-ion batteries anode”, The 19th SANKEN International Symposium, The 14th SANKEN Nanotechnology International Symposium, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec 7-9 (2015).

Y. Onitsuka, K. Imamura, H. Kobayashi,, “Ultra-low reflectivity surfaces with nano-structured Si layer”, The 19th SANKEN International Symposium, The 14th SANKEN Nanotechnology International Symposium, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec 7-9 (2015).

T. Akai, K. Imamura, H. Kobayashi,, “Fabrication mechanism of atomically flat SiC surfaces by electrochemical method”, The 19th SANKEN International Symposium, The 14th SANKEN Nanotechnology International Symposium, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec 7-9 (2015).

D. Irishika, K. Imamura, H. Kobayashi, “Ultralow reflectivity polycrystalline Si surfaces by formation of nanocrystalline Si layer and achievement of high efficiency crystalline Si solar cells”, The 19th SANKEN International Symposium, The 14th SANKEN Nanotechnology International Symposium, 11th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec 7-9 (2015)

Y. Kobayashi, S. Matsuda, K. Imamura, H. Kobayashi, “Hydrogen rich water produced by the reaction of Si nanopowder with water”, Progresss in applied surface, interface and thin film science 2015, Italy, Nov 23-26 (2015).

喜村勝矢,今村健太郎,松本健俊,金谷弥生,肥後徹, 小林光,Si切粉からのSiナノ粒子の創製と水素発生,第76回応用物理学会秋季学術講演会,愛知,2015年9月13日~16日.

野中啓章,入鹿大地,今村健太郎,小林光,化学的転写法で作製したナノクリスタルSi層に対する表面パッシベーションと結晶Si太陽電池の高効率化,第76回応用物理学会秋季学術講演会,愛知,2015年9月13日~16日.

松本健俊,中島寛記,入鹿大地,野中啓章,今村健太郎,小林光,硝酸酸化膜による結晶型シリコン太陽電池の高効率化,第76回応用物理学会秋季学術講演会,愛知,2015年9月13日~16日

D. Irishika, K. Imamura, H. Kobayashi, “Ultralow reflectivity crystalline Si surfaces by formation of nanocrystalline Si layer and application to polycrystalline Si solar cells”, 1st International Conference on Applied Surface Science, Shanghai. China, July 27-30 (2015).

T. Nonaka, D. Irishika, K. Imamura, H. Kobayashi, “Fabrication of ultra‐low reflectivity Si solar cells with light trapping effect to achieve a high conversion efficiency”, 1st International Conference on Applied Surface Science, Shanghai. China, July 27-30 (2015).

T. Akai, K. Imamura, H. Kobayashi, “Fast fabrication method of atomically flat SiC surfaces by electrochemical polishing”, 1st International Conference on Applied Surface Science, Shanghai. China, July 27-30 (2015).

K. Kimura, T. Matsumoto, Y. Kanatani, T. Higo, H. Kobayashi, “Hydrogen generation by reaction of Si nanoparticles fabricated from Si swarf with water”, 1st International Conference on Applied Surface Science, Shanghai. China, July 27-30 (2015).

K. Imamura, T. Matsumoto, H. Kobayashi, “New chemical methods to form Si nanocrystals for applications to Si Solar cells, Light emitting materials, and...”, Opto Osaka, Osaka, January 14 (2015).

受賞
報道発表

9/9 日経産業新聞 
シリコン太陽電池効率増 阪大 表面処理で光の反射抑制

7/31 
フジサンケイビジネスアイ 
シリコン切りくずで大量水素 阪大 燃料電池に応用期待

7/8 
共同通信、北海道新聞、河北新報、静岡新聞、岐阜新聞、北日本新聞、福井新聞、神戸新聞、山陽新聞、中国新聞、日本海新聞、山陰中央新報、四国新聞、愛媛新聞、高知新聞、西日本新聞、宮崎日日新聞、長崎新聞、佐賀新聞、熊本新聞、大阪日日新聞、産経フォト
不要シリコンで水素を大量生成 阪大 燃料電池に応用期待

6/25 産経WEST
太陽光発電の製造時4割ごみ・・・シリコン切り屑から水素 阪大と日新化成が新技術

4/16 
朝日新聞 
産廃シリコン使い水素発生

4/10 
ベストカー(月2回雑誌、講談社、講談社ビーシー) 大阪大学の研究室から生まれた画期的な水素生成技術!

3/10 
化学工業日報 
固体材料使い水素発生


・2014年
論文

F. Shibata, D. Ishibashi, S. Ogawara, T. Matsumoto, K. Chang-Ho, H. Kobayashi, Improvement of minority carrier lifetime and Si solar cell characteristics by nitric acid oxidation method, ECS J. Solid State Sci. Technol. 3 (2014) Q137-Q141.
[DOI: 10.1149/2.024406jss]

M. Maeda, K. Imamura, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Fabrication of Si nanoparticles from Si swarf and application to solar cells, Appl. Surf. Sci. 312 (2014) 39-42.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.02.131]

D. Yano, M. Murayama, H. Kobayashi, K. Yamanaka, Prevention of Unexpected Oxidation of Metal Layer by Removing Hydrogen Peroxide from Ultrapure Water and Diluted Hydrofluoric Acid, Solid State Phenom. 219 (2014) 221-224.
[DOI: 10.4028/www.scientific.net/SSP.219.221]


S. Jurecka, H. Angermann,
H. Kobayashi, M. Takahashi, E. Pinčík, Multifractal analysis of textured silicon surfaces, Appl. Surf. Sci.
301 (2014) 46-50.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.02.102]


E. Pinčík, H. Kobayashi, T. Matsumoto, M. Takahashi, M. Milan, R. Brunner, Properties of HfO2/ultrathin SiO2/Si structures and their comparison with
Si MOS structures passivated in KCN solution, Appl. Surf. Sci. 301 (2014) 34-39.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.01.113]


M. Kopani, M. Mikula, E. Pinčík, H. Kobayashi, M. Takahashi, FT IR spectroscopy of nitric acid oxidation of silicon with hafnium oxide very thin layer, Appl. Surf. Sci. 301 (2014) 24-27.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2014.01.124]

T. Matsumoto, M. Maeda, J. Furukawa, W-.B. Kim, H. Kobayashi, Si nanoparticles fabricated from Si swarf by photochemical method, J. Nanopart. Res., 16 (2014) 2240-1-7.
[DOI: 10.1007/s11051-013-2240-y]


K. Kimura, M. Takahashi, H. Kobayashi, Metal removal and defect passivation performed on Si wafers for solar cell use by HCN treatments, ECS J. Solid State Sci. Technol. 3 (2014) Q11-Q15.
[DOI: 10.1149/2.007402jss]


A.M. Ali, H. Kobayashi, Hydrogen effect on nanostructural features of nanocrystalline silicon thin films deposited at 200˚C by PECVD, J. Non-cryst. Solids. 385 (2014) 17-13.
[DOI: 10.1016/j.jnoncrysol.2013.10.019]

著書・総説 小林悠輝,小林光,新規化学的手法による結晶シリコン太陽電池の高効率化,クリーンエネルギー,日本工業出版23 (2014) 40-46.
 招待講演 H. Kobayashi, “Developments of crystalline Si solar cells using chemical methods”, Tunisia-Japan symposium, R&D on Energy and Materials Sciences for Sustainable Society, Tunisia, Nov. 28-30, 2014.

H. Kobayashi, T. Matsumoto, K. Imamura, “Surface modification technologies for improvement of crystalline Si solar cell efficiencies”, 7th Vacuum and Surface Sciences Conference of Asia and Australia, Taiwan, Oct. 5-9, 2014.

H. Kobayashi, “Improvement in conversion efficiencies of crystalline Si solar cells by surface technologies”, European Conference on Surface Science (ECOSS) 30, Turkey, Aug. 31-Sep. 5, 2014.


H. Kobayashi, M. Maeda, K. Kimura, Y. Kobayashi, K. Imamura, T. Matsumoto, “Fabrication of Si nanoparticles from swarf and their application”, International conference and summer school on advanced silicide technology (ICSS-Silicide), Tokyo, 2014, Jul. 19-20, 2014.
口頭発表

松本健俊,廣瀬諒,小林光,硝酸酸化膜を用いるアンモニアプラズマによる基板Siの直接窒化防止とシリコン太陽電池の効率向上,第75回応用物理学会秋季学術講演会,北海道,2014年9月17日~20日.

中島寛記,入鹿大地,野中啓章,今村健太郎,松本健俊,小林光,硝酸酸化法によるSi表面の新規パッシベーション方法,第75回応用物理学会秋季学術講演会,北海道,2014年9月17日~20日.

入鹿大地,今村健太郎,小林光,化学的転写法を用いた極低反射Si表面のパッシベーション,第75回応用物理学会秋季学術講演会,北海道,2014年9月17日~20日.

今村健太郎,入鹿大地,謝雯,小林光,Pt触媒を用いてHF/H2O2溶液中で形成したSiナノクリスタル層/Si構造の極低反射率のメカニズム,日本物理学会2014年秋季大会,名古屋,2014年9月7日~10日.

赤井智喜,入鹿大地,今村健太郎,小林光,Pt針を用いたウェットエッチングによる高アスペクト比シリコンマイクロホールの形成メカニズム,日本物理学会2014年秋季大会,名古屋,2014年9月7日~10日.

廣瀬諒,松本健俊,小林光,硝酸酸化法によるシリコン表面のパッシベーションと単結晶シリコン太陽電池の高効率化,第61回応用物理学会春季学術講演会,東京,2014年3月17日~20日.

前田譲章,松本健俊,小林光,シリコンナノ粒子による有機分子のフォトルミネッセンス増強,第61回応用物理学会春季学術講演会,東京,2014年3月17日~20日.

矢野大作,村山雅美,髙橋昌男,小林光,山中弘次,貴金属触媒を用いた洗浄水からの酸化性物質除去による銅腐食の抑制,第61回応用物理学会春季学術講演会,東京,2014年3月17日~20日.

今村健太郎,入鹿大地,赤井智喜,小林光,化学的転写法によるシリコンナノクリスタル層とシリコンマイクロホールの作製,第61回応用物理学会春季学術講演会,東京,2014年3月17日~20日.

喜村勝矢,髙橋昌男,金谷弥生,肥後徹,小林光,Si切粉から作製したSiナノ粒子の水素発生,第61回応用物理学会春季学術講演会,東京,2014年3月17日~20日.

小林光,単純な化学的手法による極低反射率結晶シリコンの形成法とシリコン太陽電池の高効率化,新技術説明会,東京,2014年2月18日.

 ポスター
発表

T. Akai, K. Imamura, H. Kobayashi, “High aspect ratio Si micro-holes formed by wet etching using Pt needles”, KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec. 10-11, 2014.

D. Irishika, K. Imamura, H. Kobayashi, “Ultralow reflectivity surfaces by formation of nanocrystalline Si layer for crystalline Si solar cells and achievement of high efficiency”, KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec. 10-11, 2014.

K. Kimura, M. Takahashi, T. Matsumoto, Y. Kanatani, T. Higo, H. Kobayashi, “Hydrogen generation from Si nanoparticles fabricated from Si swarf”, KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec. 10-11, 2014.

M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Fabrication of luminescent Si nanoparticles from Si swarf and fluorescence enhancement of adsorbed molecules”, KANSAI Nanoscience and Nanotechnology, Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec. 10-11, 2014.

M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, “Photoluminescence properties of Si nanoparticles fabricated from Si swarf: fluorescence enhancement by organic molecules”, International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters (ISPIC) XVII, Fukuoka, Sep. 7-12, 2014.

T. Matsumoto, K. Kimura, K. Imamura, M. Takahashi, Y. Kanatani, T. Higo, and H. Kobayashi, “Fabrication of Si nanoparticles from Si swarf and the application to hydrogen generation source”, International Symposium on Small Particles and Inorganic Clusters (ISPIC) XVII, Fukuoka, Sep. 7-12, 2014.

野中啓章,入鹿大地,今村健太郎,小林光,化学的転写法で作製した極低反射Si基板の光閉じ込め,第75回応用物理学会秋季学術講演会,東京,2014年9月17日~20日.

謝雯,入鹿大地,野中啓章,髙橋昌男,今村健太郎,小林光,化学的転写法で形成した極低反射率Si表面の微細構造解析,第61回応用物理学会春季学術講演会,東京,2014年3月17日~20日.

M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, “Blue and green luminescent Si nanoparticles fabricated from Si swarf”, The 17th SANKEN International Symposium and the 2nd International Symposium of Nano-Macro Matrials, Devices, and System Research Alliance Project, Osaka, Jan. 21-22, 2014.

K. Imamura, D. Irishika, T. Nonaka, H. Kobayashi, “Ultra-low reflectivity nanocrystalline Si solar cells fabricated by surface structure chemical transfer method”, The 17th SANKEN International Symposium and the 2nd International Symposium of Nano-Macro Matrials, Devices, and System Research Alliance Project, Osaka, Jan. 21-22, 2014.

T. Nonaka, K. Imamura, D.Irishika, H. Kobayashi, “Light-trapping in ultra-low reflectivity Si solar cells fabricated by use of surface structure chemical transfer (SSCT) Method”, The 17th SANKEN International Symposium and the 2nd International Symposium of Nano-Macro Matrials, Devices, and System Research Alliance Project, Osaka, Jan. 21-22, 2014.

W. Xie, M. Takahashi, H. Kobayashi, “Characterization of nanocrystalline Si layer with ultra-low reflectivity”, The 17th SANKEN International Symposium and the 2nd International Symposium of Nano-Macro Matrials, Devices, and System Research Alliance Project, Osaka, Jan. 21-22, 2014.

受賞 大阪大学総長顕彰,小林光
報道発表

2/20 日刊工業新聞 
大学発VBがメガソーラー 阪大のKIT、自前設備 売電で収益、太陽光研究加速

1/29 
半導体産業新聞 
大阪大学産業科学研究所 ウェハーを低反射化 発電コストを30%低減


・2013年

論文 E. Pinčík, H. Kobayashi, M. Takahashi, R. Brunner, S. Jurecka, Passivation of a-Si:H-based structures in KCN and HCN solutions and its application on p-i-n solar cell, J. Chinese Adv. Mater. Soc. 1 (2013) 151-165.
[DOI: 10.1080/22243682.2013.808063]

K. Imamura, F.C. Franco, Jr., T. Matsumoto, H. Kobayashi, Ultra-low reflectivity polycrystalline Si surfaces formed by surface structure chemical transfer method, Appl. Phys. Lett. 103 (2013) 013110-1-4.
[DOI: 10.1063/1.4813089]

T. Matsumoto, W. Kai, T. Fukushima, M. Takahashi, A. Ishibashi, H. Kobayashi, Improvement of minority carrier lifetime by HCN treatments, ECS J. Solid State Sci. Technol. 2 (2013) Q127-Q130.
[DOI: 10.1149/2.026307jss]


M. Takahashi, T. Fukushima, Y. Seino, W.-B. Kim, K. Imamura, H. Kobayashi, Surface structure chemical transfer method for formation of ultralow reflectivity Si surfaces, J. Electrochem. Soc., 160 (2013) H443-H445.
[DOI: 10.1149/2.044308jes]

M. Kopani, M. Mikula, M. Takahashi, J. Rusnák, E. Pinčík, FTIR spectroscopy of silicon oxide layers prepared with perchloric acid, Appl. Surf. Sci., 269 (2013) 106-109.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.09.081]

E. Pinčík, H. Kobayashi, J. Rusnák, M. Takahashi, R. Brunner, About electrical properties of passivated SiO2/Si structures prepared electro-chemically in HClO4 solutions, Appl. Surf. Sci. 269 (2013) 148.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.10.053]

P. Bury, T. Matsumoto, I. Bellan, M. Janek, H. Kobayashi, Acoustic spectroscopy and electrical characterization of Si/NAOS-SiO
2/HfO2 structures, Appl. Surf. Sci. 269 (2013) 50.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.10.103]
著書・総説 小林光,新規化学的手法を用いる結晶シリコン太陽電池の高効率化,生産と技術,65 (2013) 95-98.

小林光,欠陥消滅型半導体洗浄法と硝酸酸化法のTFT製造への応用,月刊ディスプレイ,19 (2013) 30-36.
 招待講演

H. Kobayashi, K. Imamura, T. Matsumoto, M. Takahashi, E. Pincik, “Chemical methods to improve conversion efficiencies of crystalline Si solar cells”, 8th Solid State Surfaces and Interfaces, Smolenice, Slovakia, Nov. 24-28, 2013.

T. Matsumoto, M. Maeda, T. Akai, S. Imai, H. Kobayashi, “Nitric acid oxidation of Si (NAOS) method for application to thin film transistors (TFT), eternal memory “digital Rosetta Stone”, and Si solar cells”, 8th Solid State Surfaces and Interfaces, Smolenice, Slovakia, Nov. 24-28, 2013.

M. Takahashi, H. Kobayashi, “New chemical methods for improvement of conversion efficiencies of crystalline Si solar cell”, 4th International Symposium on Advanced Ceramics and Technology for Sustainable Energy Applications toward a Low Carbon Society, Taipei, Taiwan, Nov. 10-13, 2013.

H. Kobayashi, High efficiency crystalline Si solar cells with a nanocrystalline Si layer formed by surface structure chemical transfer method, IIV International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, Krakow, Poland, Sep. 11-15, 2013.

小林光, 切粉からのシリコンナノパーティクルの形成とその応用, 半導体ネットおかやま例会, 岡山, 平成25年8月23日

口頭発表

入鹿大地,今村健太郎,小林光,化学的転写法を用いた極低反射シリコン太陽電池の作製,表面・界面スペクトロスコピー2013,静岡,2013年12月6日~7日.

前田譲章,松本健俊,小林光,切粉からのシリコンナノ粒子の創製と蛍光体への応用,第表面・界面スペクトロスコピー2013,静岡,2013年12月6日~7日.

今村健太郎,松本健俊,小林光,シリコン源を用いた硝酸酸化法によるSiO2/Si構造の形成メカニズムとその特性,日本物理学会2013年秋季大会プログラム,神戸,2013年9月20日~23日.

前田譲章,松本健俊,小林光,シリコン切粉を用いた可視光発行シリコンナノ粒子の作製,第74回応用物理学会学術講演会,京都,2012年9月16日~20日.

今村健太郎,Francisco Jr Franco, 入鹿大地,小林光,化学的転写法を用いた極低反射Si太陽電池の作製,第74回応用物理学会学術講演会,京都,2012年9月16日~20日.

入鹿大地,今村健太郎,小林光,化学的転写法を用いた極低反射Si表面の創製,第74回応用物理学会学術講演会,京都,2012年9月16日~20日.

松本健俊,赤井智喜,今井繁規,小林光,恒久保存メモリ「デジタルロゼッタストーン」の加速耐湿試験による保護膜の評価,第74回応用物理学会学術講演会,京都,2012年9月16日~20日.


今村健太郎,小林光,新規化学的手法を用いる結晶シリコン太陽電池の高効率化技術,イノベーション・ジャパン2013,東京,2013年8月28日~30日.

小林光,化学的転写法による極低反射率シリコンウェーハの形成と結晶シリコン太陽電池の高効率化,新技術説明会,東京,2013年7月19日.

赤井智喜,松本健俊,今井繁規,小林光,硝酸酸化(NAOS)法によるSiO
2薄膜の改質:恒久保存メモリへの応用,第60回応用物理学関係連合講演会,東京,2013年3月27日~30日.

松本健俊,赤井智喜,今井繁規,小林光,硝酸酸化(NAOS)膜の超低消費電力型ガラス基板上CPUや恒久保存メモリ「デジタルロゼッタストーン」への応用,第60回応用物理学関係連合講演会,東京,2013年3月27日~30日.

入鹿大地,今村健太郎,小林光,化学的転写法を用いた極低反射Si表面の創製,第60回応用物理学関係連合講演会,東京,2013年3月27日~30日.

F. Franco,今村健太郎,小林光,Ultra-low reflectivity poly-crystalline Si surfaces fabricated by surface structure chemical transfer method,第60回応用物理学関係連合講演会,東京,2013年3月27日~30日.

髙橋昌男,清野友樹,福島隆史,金佑柄,小林光,化学的転写法を用いた極低反射Si表面の創製,第60回応用物理学関係連合講演会,東京,2013年3月27日~30日.

H. Kobayashi, Chemical Methods to Improve Crystalline Si Solar Cell Characteristics, The 16th SANKEN International Symposium 2013 and The 11th SANKEN Nanotechnology Symposium 2013, Osaka, Jan. 22-23, 2013.

 ポスター
発表

M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, “Fabrication of visible light luminescent Si nanoparticles and application to photovoltaic devices”, The 16th SANKEN International Symposium and the 11th SANKEN Nanotechnology Symposium, Osaka, Jan. 22-23, 2013.

D. Irishika, K. Imamura, H. Kobayashi, Ultra-low reflectivity SI surfaces fabricated by surface structure chemical transfer method, The 16th SANKEN International Symposium and the 11th SANKEN Nanotechnology Symposium, Osaka, Jan. 22-23, 2013.

K. Kimura, M. Takashi, H. Kobayashi, Defect passivation cleaning method for crystalline Si solar cells: Removal of metal contaminants and increase in minority carrier lifetime, The 16th SANKEN International Symposium and the 11th SANKEN Nanotechnology Symposium, Osaka, Jan. 22-23, 2013.

報道発表

9/16 日経エレクトロニクス
金属配線から波長変換まで大学発の新技術が続々(焼成不要の金属ナノインクや太陽電池の効率向上が可能に)太陽電池の効率が大幅向上か

8/22 
化学工業日報
太陽電池向けシリコンウエハー 変換効率1~2割向上 阪大産業科学研 発電コストも3割減

8/21 
NHKニュース
太陽光発電の装置に新技術


・2012年
論文

K. Imamura, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Optimum condition to fabricate 5–10 nm SiO2/Si structure using advanced nitric acid oxidation of Si (NAOS) method with Si source, J. Appl. Phys. 112 (2012) 124322-1-7.
[DOI: 10.1063/1.4771684]

F. F. Jr. Corpuz, T. Matsumoto, W.-B. Kim, H. Kobayashi, Changes in minority carrier lifetime of hydrogen-terminated Si surfaces in dry- and wet-air, ECS. Solid-State Lett., 1 (2012) 89-91.
[DOI: 10.1149/2.006206ssl]

E. Pinčík, H. Kobayashi, J. Rusnák, M. Takahashi, M. Mikula, W-.B. Kim, M. Kučera, R. Brunner, S. Jurečka, Passivation of Si-based structures in HCN and KCN solutions, Appl. Surf. Sci. 258 (2012) 8397-8405.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.02.121]

S. Jurecka, H. Kobayashi, M. Takahashi, T. Matsumoto, E. Pincik, Properties of charge states in MOS structure with ultrathin oxide layer, Appl. Surf. Sci., 258 (2012) 8409-8414.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.05.001]

S. Jurecka, H. Kobayashi, W.-B. Kim, M. Takahashi, E. Pincik, Study of density of interface states in MOS structure with ultrathin NAOS oxide, Cent. Eur. J. Phys., 10 (2012) 210.
[DOI: 10.2478/s11534-011-0092-6]


Y. Kubota, T. Matsumoto, H. Tsuji, N. Suzuki, S. Imai, H. Kobayashi, 1.5 V-Operation Ultr-Low Power Circuit of Poly-Si TFTs Fabricated Using Nitric Acid Oxidation of Silicon (NAOS) Method, IEEE Trans. Electron Devices, 59 (2012) 385-392.
[DOI: 10.1109/TED.2011.2175395]

著書・総説
 招待講演

小林光,新規化学的手法による結晶太陽電池の高効率化,物質・デバイス領域共同研究拠点『太陽電池の展開,並びに清浄環境の必要性と未来』研究会,北海道,2012年10月17日.

H. Kobayashi, T. Matsumoto, M. Takahashi, W.-B. Kim, New surface technologies for improvement of conversion efficiencies of crystalline Si solar cells, Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2012, Florence, Italy, May 14-18, 2012.

S. Imai, T. Matsumoto, Y. Kubota, H. tsuji, N. Suzuki, S. Terakawa, H. Kobayashi, Thin film transistors (TFTs) with stacked gate oxide formed by the nitric acid oxidation of Si (NAOS) method and application to low power liquid crystal displays (LCD) and ring oscillator, Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2012, Florence, Italy, May 14-18, 2012.

T. Matsumoto, Y. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, Y. Kubota, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi, Application of Ultra-thin SiO2 layer formed by the nitric acid oxidation of Si, Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2012, Florence, Italy, May 14-18, 2012.

T. Matsumoto, J. Furukawa, M. Maeda, S. Terakawa, S. Imai, H. Kobayashi, Photoluminescence of Si Nanoparticles Produced from Si Swarf with Photochemical Reactions, 2012 RCIQE International Seminar, Hokkaido, March 5-6, 2012.

口頭発表

今村健太郎,松本健俊,小林光,化学的転写法を用いる極低反射シリコンナノクリスタル層の形成と太陽電池への応用,表面・界面スペクトロスコピー2012,大阪,2012年12月7日~8日.

松本健俊,今井繁規,寺川澄雄,小林光,硝酸酸化法の薄膜トランジスタへの応用,表面・界面スペクトロスコピー2012,大阪,2012年12月7日~8日.

高橋昌男,喜村勝矢,柳生真依,小林光,太陽電池用シリコンウェーハの欠陥消滅型洗浄:表面汚染金属除去と少数キャリアライフタイムの増加,第73回応用物理学会学術講演会,愛媛,2012年9月11日~14日.

今村健太郎,松本健俊,小林光,シリコン源を用いた硝酸酸化(NAOS)法によるSiO2/Si構造の低温創製,第73回応用物理学会学術講演会,愛媛,2012年9月11日~14日.

王カイ,松本健俊,高橋昌男,小林光,シアン化処理法を用いた欠陥除去と洗浄による太陽電池用シリコン基板のライタイムの向上,日本物理学会大67回年次大会,兵庫,2012年3月24日~27日.

古川淳一,松本健俊,小林光,シリコン切粉からナノ粒子の創製と青色発光,第59回応用物理学関係連合講演会,東京,2012年3月15日~18日.

前田譲章,松本健俊,小林光,切粉からのシリコンナノパーティクル創製と太陽電池への応用,第59回応用物理学関係連合講演会,東京,2012年3月15日~18日.

松本健俊,山田幹浩,辻博史,谷口研二,久保田靖,今井繁規,寺川澄雄,小林光,硝酸酸化ゲート酸化膜を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタ:液晶ディスプレイとリングオシレータへの応用,第59回応用物理学関係連合講演会,東京,2012年3月15日~18日.

 ポスター
発表

M. Maeda, Taketoshi matsumoto, Hikaru Kobayashi, “Photovoltaic Effect of Si Nanoparticles and Improvement by Nitric Acid Oxidization”, 8th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Dec. 10-11, 2012.

喜村勝矢,髙橋昌男,小林光,欠陥消滅型洗浄法を用いた太陽電池用シリコンウェーハの表面汚染金属と少数キャリアーライフタイム,表面・界面スペクトロスコピー2012,大阪,2012年12月7日~8日.

前田譲章,松本健俊,小林光,切粉からのシリコンナノ粒子の作製と太陽電池応用,ナノ学会第10回大会,大阪,2012年6月14日~16日.

M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Photovoltaic effect of Si nanoparticles fabricated from Si swarf and improvement of the performance by nitric acid oxidation of Si, Progress in Applied Surface, Interface and Thin Film Science 2012, Florence, Italy, May 14-18, 2012.

M. Maeda, T. Matsumoto, S. Terakawa, S. Imai, H. Kobayashi, Fabrication of Si Nanoparticles from Si Swarf and Application to Photovoltaic Cells, 2012 RCIQE International Seminar, Hokkaido, March 5-6, 2012.

M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Photovoltaic effect of Si nanoparticles fabricated by non-vacuum pulverizing method, The 15th SANKEN International Symposium and the 10th SANKEN Nanotechnology Symposium, Osaka, Jan. 12-13, 2012.

F. Franco Jr., W.-B. Kim, H. Kobayashi, Humidity condition dependence of the initial stages of Si oxidation, The 15th SANKEN International Symposium and the 10th SANKEN Nanotechnology Symposium, Osaka, Jan. 12-13, 2012.

J. Furukawa, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Blue luminescent Si nanoparticles from Si swarf, The 15th SANKEN International Symposium and the 10th SANKEN Nanotechnology Symposium, Osaka, Jan. 12-13, 2012.

T. Matsumoto, Y. Kubota, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi, The 15th SANKEN International Symposium, Osaka, Jan. 12-13.Ultra-low power thin film transistors with ultrathin gate oxide layer fabricated by the NAOS (Nitric Acid Oxidation of Si) method and application to mobile electronic devices, The 15th SANKEN International Symposium and the 10th SANKEN Nanotechnology Symposium, Osaka, Jan. 12-13, 2012.

受賞 The 15th SANKEN International Symposium and the 10th SANKEN Nanotechnology Symposium Best Poster Award, M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Photovoltaic effect of Si nanoparticles fabricated by non-vacuum pulverizing method.
新聞発表

7/30 日刊工業新聞
極低消費電力薄膜トランジスタの開発―材料とプロセス―


1/16 読売新聞
太陽電池効率アップ競う


・2011年
論文 P. Hockicko, P. Bury, P. Sidor, H. Kobayashi, M. Takahashi, T. Yanase, Analysis of A-DLTS spectra of MOS structures with thin NAOS SiO2 layers, Cent. Eur. J. Phys. 9 (2011) 242-249.
[DOI: 10.2478/s11534-010-0038-4]

T. Matsumoto, Y. Kubota, S. Imai, H. Kobayashi, Nitric Acid Oxidation to Form a Gate Oxide Layer in Sub-Micrometer TFT, Electrochem. Soc. Trans. 35 (2011) 217-227.
[DOI: 10.1149/1.3572285]

M. Takahashi, Y. Higashi, S. Ozaki, H. Kobayashi, Chemical states of copper contaminants on SiO2 surfaces and their removal by ppm-order HCN aqueous solutions, J. Electrochem. Soc., 158 (2011) H825-829.
[DOI: 10.1149/1.3599832]


T. Fukushima, A. Ohnaka, M. Takahashi, H. Kobayashi, Fabrication of low reflectivity poly-crystalline Si surfaces by structure transfer method, Electrochem. Solid-State Lett., 14 (2011) B13-15.
[DOI: 10.1149/1.3515990]


Y. Kubota, T. Matsumoto, S.Imai, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, S. Terakawa, H. Kobayashi, Sub-micrometer ultralow power TFT with 1.8 nm NAOS SiO2/20 nm CVD SiO2 gate stack structure, IEEE Trans. Electron Dev., 58 (2011) 1134-1140.
[DOI: 10.1109/TED.2011.2108657]
著書・総説 松本健俊, 小林光: 第5章 表面プラズモンおよび太陽電池分野のナノ構造素子, 2. シリコン太陽電池表面の反射率低減技術. ナノ構造光学素子開発の最前線, シーエムシー出版, (2011年7月) p. 152-166.

松本健俊,小林光,硝酸酸化極薄膜とCVD-SiO2薄膜の積層型ゲート酸化膜を用いた超低消費電力型薄膜トランジスタの創製,表面科学,32 (2011) 355-360.
 招待講演

H. Kobayashi, “Fabrication of Si nanoparticles and application to solar cells”, International Workshop on Semiconductor Devices and Interfaces, Abha, Saudi Arabia, 2011, Nov. 28-29.

H. Kobayashi, New chemical methods for improvement of energy conversion efficiency of crystalline Si solar cells, Dankook University, Korea, Nov. 8-9, 2011.


髙橋昌男, シリコン基板表面の表面欠陥・金属汚染除去, 化学工学会 反応工学部会 CVD反応分科会 研究会, 東京, 2011年10月26日.

T. Matsumoto, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, Y. Kubota, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi, Ultra-low power TFTs with 10 nm stacked gate insulator fabricated by the nitric acid oxidation of Si (NAOS) method, 第11回関西コロキアム電子デバイスワークショップ, 大阪, 2011年10月21日.

小林光,欠陥低減と変換効率向上を目指す,Electronic Journal 第930回Technical Seminar 太陽電池ウェット処理技術の最前線,大阪,2011年9月30日.

H. Kobayashi, Ultra-low power thin film transistors fabricated by use of nitric acid oxidation method, IIV International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, Krakow, Poland, September 11-15.

小林光,結晶シリコン太陽電池製造における洗浄・表面処理技術の効率化,サイエンス&テクノロジー主催セミナー,大阪,2011年6月29日.

H. Kobayashi, Ultra-low power thin film transistors with gate oxide formed by nitric acid oxidation method, 17th International Conference of Applied Physics of Condensed Matter, Novy Smokovec, Slovakia, June 22-24, 2011.


H. Kobayashi, T. Matsumoto, S. Imai, Nitric acid oxidation method to form a gate oxide layer in sub-micrometer TFT, 219th ECS meeting, Montreal, Canada, May 1-6, 2011.

口頭発表

M. Takahashi, T. Fukushima, Y. Seino, A. Ohnaka, H. Kobayashi, Fabrication of low reflectivity Si surfaces with the inverted pyramidal structure by use of Pt catalytic activity, The 6th International Symposium on Surface Science, Tokyo, December 11-15, 2011.

F. Franco, Jr., W.-B. Kim, H. Kobayashi, Dependence minority carrier lifetime on humidity for initial oxidation of Si, The 6th International Symposium on Surface Science, Tokyo, December 11-15, 2011.

T. Matsumoto, H.-S. Joe, W-B. Kim, H. Kobayashi, Low temperature oxidation of 4H-SiC surfaces by nitric acid vapor oxidation of SiC (NAVOS) method, The 6th International Symposium on Surface Science, Tokyo, December 11-15, 2011.

松本健俊、高橋昌男、小林光, “新規化学プロセスの開発によるシリコン太陽電池の高性能化”, ポストシリコン物質・デバイス創製基板技術アライアンスG2報告会, 北海道, 2011年10月7~8日.

Francisco C. Franco Jr., Woo-Byoung Kim, Hikaru Kobayashi,Initial Stages of Oxidation of HF Passivated Si(100) Evaluated by Carrier Lifetime,
物理学会2011年秋季大会,富山,2011年9月21日~24日.

趙惠淑,松本健俊,小林光,SiC(0001)表面(Si面)とSiC(000-1)表面(C面)の気相硝酸酸化反応のメカニズムの解明,物理学会2011年秋季大会,富山,2011年9月21日~24日.

前田譲章,松本健俊,小林光,物理粉砕したシリコンナノ粒子の表面観察とpn接合の形成,物理学会2011年秋季大会,富山,2011年9月21日~24日.

髙橋昌男,井川麻衣,小林光,太陽電池電極用アルミニウムのシリコン基板との反応性(2)シリコン基板へのAl拡散,第72回応用物理学会学術講演会,山形,2011年8月29日~9月2日.

松本健俊,山田幹浩,辻博史,谷口研二,久保田靖,今井繁規,寺川澄雄,小林光,硝酸酸化膜を界面層とした極薄積層型ゲート酸化膜を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタの創製と液晶ディスプレイへの応用,第72回応用物理学会学術講演会,山形,2011年8月29日~9月2日.

金昌鎬,金佑柄,髙橋昌男,小林光,硝酸酸化法によるシリコン太陽電池の高効率化:表面パッシベーション効果の評価,第72回応用物理学会学術講演会,山形,2011年8月29日~9月2日.

髙橋昌男,シアン化法によるシリコン表面パッシベーションにおける科学結合,第24回DV-Xα研究会,静岡,2011年8月8日~8月10日.

井川麻衣,髙橋昌男,小林光,太陽電池電極用アルミニウムのシリコン基板との反応性,第58回応用物理学関係連合講演会,神奈川,2011年3月24日~27日.

松本健俊,山田幹浩,辻博史,谷口研二,久保田靖,今井繁規,寺川澄雄,小林光,硝酸酸化法を用いて形成した10 nmの膜厚の積層型ゲート絶縁膜を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタの創製,第58回応用物理学関係連合講演会,神奈川,2011年3月24日~27日.

深谷洋介,松本健俊,小林光,新規二段階硝酸酸化法によるゲート酸化膜の低温創製,第58回応用物理学関係連合講演会,神奈川,2011年3月24日~27日.

F.C. Franco Jr.,金佑柄,小林光,Stability of Nitric Acid Oxidized Silicon Wafers Evaluated by Microwave Photoconductance Decay Spectroscopy,日本物理学会大66回年次大会,新潟,2011年3月25日~28日.

 ポスター
発表

松本健俊,今井繁規,小林光,結晶型太陽電池の高効率化のための新規化学プロセスの開発とシリコン切削屑を用いた太陽電池の創製,中国地域太陽電池フォーラム2011,広島,2011年12月13日.

松本健俊,髙橋昌男,小林光,シリコン太陽電池の高効率化のための新規化学プロセスの開発とシリコン切削屑を用いた太陽電池の創製,第67回大阪大学産業科学研究所学術講演会,大阪,2011年11月22日.

M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Photovoltaic effect of Si nanoparticles fabricated by non-vacuum simple method, 7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, November 10-11.

T. Matsumoto, Y. Kubota, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi, Ultra-low power thin film transisitors and liquid crystal displays with ultrathin gate oxide layer fabricated by the NAOS (Nitric Acid Oxidation of Si) method, 7th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, November 10-11.

H. Kobayashi, International Symposium on technology Innovation and Integration Information Systems with Ultra-Low-Power (JST-CREST), Fukuoka, August 1, 2011.

M. Maeda, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Fabrication of Si Nanoparticles by Non-vacuum Simple Method and Formation of pn-junction, 30th Electronic Materials Symposium, Shiga, June 29th - July 1st, 2011


前田譲章,松本健俊,小林光,物理粉砕したシリコンナノ粒子の表面観察と電子材料への応用,ナノ学会第9回大会,北海道,2011年6月2日~4日.


C.-H. Kim, K. Wang, W.-B. Kim, M. Takahashi, H. Kobayashi, Improvement of Si-based Solar Cell Conversion Efficiency by the Use of New Chemical Methods, 14th SANKEN International Symposium 2011, Shiga, January 25-26, 2011.
 

T. Matsumoto, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, Y. Kubota, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi, Ultra-low Power TFTs with Low Operation Voltage and Leakage Current Achieved by Direct Oxidation of Poly-Si Surface in Nitric Acid Solution, 14th SANKEN International Symposium 2011, Shiga, January 25-26, 2011.

受賞 C.-H. Kim, Best Poster Awards of the 14th SANKEN International Symposium 2011, 2010/1/26

・2010年
論文

T. Matsumoto, Y. Kubota, M. Yamada, H. Tsuji, T. Shimatani, Y. Hirayama, S. Terakawa, S. Imai, and H. Kobayashi, Ultra-low power TFT with gate oxide fabricated by nitric acid oxidation method, IEEE Electron Device Lett. 31 (2010) 821-823.
[DOI: 10.1109/LED.2010.2050856]


W.-B. Kim, T. Matsumoto, and H. Kobayashi, Ultrathin SiO2 layer with a low leakage current density formed with ~100 % nitric acid vapor, Nanotechnology 21 (2010) 115202-1-8.
[DOI: 10.1088/0957-4484/21/11/115202]


T. Iwata, M. Matsumoto, S. Terakawa, and H. Kobayashi, Fabrication of Al2O3/Al structure by nitric acid oxidation at room temperature, Cent. Eur. J. Phys. 8 (2010) 1015-1020.
[DOI: 10.2478/s11534-010-0014-z] (Open Acess)


H. Kobayashi, K. Imamura, W.-B. Kim, S.-S. Im, and Asuha, Nitric acid oxidation of Si (NAOS) method for low temperature fabrication of SiO2/Si and SiO2/SiC structures, Appl. Surf. Sci. 256 (2010) 5744-5756.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.092]


E. Pincik, H. Kobayashi, J. Rusnak, W. B. Kim, R. Brunner, L. Malinovsky, T. Matsumoto, K. Imamura, M. Jergel, M. Takahashi, Y. Higashi, M. Kucera, and M. Mikula, On ultra-thin oxide/Si and very-thin oxide/Si structures prepared by wet chemical process, Appl. Surf. Sci. 256 (2010) 5757-5764.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.096]


R. Brunner, E. Pincik, H. Kobayashi, M. Kucera, M. Takahashi, and J. Rusnak, On photoluminescence properties of a-Si:H-based structures, Appl. Surf. Sci. 256 (2010) 5596-5601.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.036]


P. Hockicko, P. Bury, P. Sidor, H. Kobayashi, M. Takahashi, and T. Yanase, Analysis of A-DLTS spectra of MOS structures with thin NAOS SiO2, Cent. Eur. J. Phys. 8 (2010) 242-249
[DOI: 10.2478/s11534-010-0038-4]


S. Jurecka, H. Kobayashi, M. Takahashi, T. Masumoto, M. Jureckova, F. Chovanec, and E. Pincik, On the influence of the surface roughness onto the ultrathin SiO2/Si structure properties, Appl. Surf. Sci. 256 (2010) 5623-5628.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.030]


Y. Fukaya, T. Yanase, Y. Kubota, S. Imai, T. Matsumoto, and H. Kobayashi, Low temperature fabrication of 5~10 nm SiO2/Si structure using advanced nitric acid oxidation of silicon (NAOS) method, Appl. Surf. Sci. 256 (2010) 5610-5613.
[DOI: 10.1016/j.apsusc.2010.03.032]


T. Yanase, M. Matsumoto, and H. Kobayashi, SiO2/Si structure having low leakage current fabricated by nitric acid oxidation method with Si source, Electrochem. Solid-State Lett. 13 (2010) H253-H256.
[DOI: 10.1149/1.3424885]


W.-B. Kim, M. Nishiyama, and H. Kobayashi, Removal of charging on SiO2/Si structure during photoelectron spectroscopy measurements by metal overlayer, J. Electron Spectroscopy Related Phenom. 176 (2010) 8-12.
[DOI: 10.1016/j.elspec.2009.10.003]


K. Imamura, M. Takahashi, Asuha, Y. Hirayama, S. Imai, and H. Kobayashi, Nitric acid oxidation of Si method at 120 ºC: HNO3 concentration dependence, J. Appl. Phys. 107 (2010) 054503-1-5.
[DOI: 10.1063/1.3296395]


H. Seo, Y.-B. Kim, G. Lucovsky, I.-D. Kim, K.-B. Chung, H. Kobayashi, D.-K. Choi, Enhanced leakage current properties of Ni-doped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films driven by modified band edge state, J. Appl. Phys. 107 (2010) 024109/1-7.
[DOI: 10.1063/1.3291124]

著書・総説

小林光, 青酸を利用した新発想の半導体洗浄技術, 化学, 65(8) (2010) 77.

松本健俊, 小林光, 第11章SiCパワーデバイス用酸化膜の形成方法. SiCパワーデバイス最新技術, サイエンス&テクノロジー株式会社, (20105) p. 138-158.

招待講演

S. Imai, K. Imamura, T. Matsumoto, H. Kobayashi, Application of nitric acid oxidation of Si (NAOS) method to fabricate of thin film transistors, 7th Solid State Surfaces and Interfaces, Smolenice, Slovakia, Nov. 22-25, 2010.

T. Matsumoto, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, Y. Kubota, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi, Characterization of ultra-low power thin film transistors (TFTs) with SiO2 layer formed by the nitric acid oxidation of Si (NAOS) method, 7th Solid State Surfaces and Interfaces, Smolenice, Slovakia, Nov. 22-25, 2010.

H. Kobayashi, W.-B. Kim, Improvement of Si solar cell performance by new chemical methods: surface passivation, defect elimination, metal removal, and surface structure transfer, 7th Solid State Surfaces and Interfaces, Smolenice, Slovakia, Nov. 22-25, 2010.

小林光、表面・界面制御によるシリコン太陽電池の高効率化、応用物理学会第39回薄膜・表面物理基礎講座、東京、20101125.

H. Kobayashi, M. Takahashi, T. Matsumoto, W.-B. Kim, New chemical methods improvement of Si solar cell performance, The 5th Meeting of the Saudi Physical Society, Abuha, Saudi Arabia, Oct. 25-27, 2010.

H. Kobayashi, Chemical methods to improve Si solar cell characteristics, China-Japan-Korea 2010 Strategic Seminor on New Materials, Huhhot, China, Aug. 25-29, 2010.

口頭発表

T. Matsumoto, M. Yamada, H. Tsuji, K. Taniguchi, Y. Kubota, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi, Ultra-low power TFTs with 10 nm stacked gate insulator fabricated by the nitric acid oxidation of Si (NAOS) method, 2010 International Electron Devices Meeting, San Francisco, US, Dec. 6-8, 2010.

E. Pinčík, H. Kobayashi, J. Rusnák, T. Matsumoto, M. Takahashi, R. Brunner, M. Jerger,On properties of MOS structures with ultra-thin and very-thin oxides prepared on Si and 6H-SiC substrates as observed by charge version of DLTS, 7th Solid State Surfaces and Interfaces, Smolenice, Slovakia, Nov. 24-27, 2008.

井川麻衣,髙橋昌男,小林光,太陽電池裏面電極用アルミニウムのシリコン基板との反応性,第30回表面科学学術講演会,大阪,2010114日~6.

松本健俊,山田幹浩,辻博史,谷口研二,久保田靖,今井繁規,寺川澄雄,小林光,硝酸酸化法により形成したゲート絶縁膜とこれを用いた超低消費電力サブミクロン薄膜トランジスタの特性評価,第30回表面科学学術講演会,大阪,2010114日~6.

趙惠淑,松本健俊,岩佐仁雄,小林光,気相硝酸酸化法を用いたSiO2/SiC構造の低温創製,物理学会2010年秋季大会,長崎,2010923日~26.

田中峻介,趙惠淑,松本健俊,岩佐仁雄,小林光,気相硝酸酸化法により低温形成したSiO2/Si構造の物性と電気特性,物理学会2010年秋季大会,大阪,2010年9月23日~26日.

高橋昌男,東裕子,岩佐仁雄,小林光,HCN水溶液による半導体表面清浄化:1010原子/cm2オーダーの銅の化学状態解析,物理学会2010年秋季大会,大阪,2010年9月23日~26日.

深谷洋介,松本健俊,柳瀬隆,松本健俊,小林光,硝酸酸化(NAOS)法を用いた比較的厚い(~6 nm)SiO2膜の低温創製,第71回応用物理学会学術講演会,長崎,2010年9月14日~17日.

金佑柄,松本健俊,小林光,~100%硝酸蒸気で形成した極薄SiO2/Si構造の界面特性,第71回応用物理学会学術講演会,長崎,2010年9月14日~17日.

松本健俊,山田幹浩,辻博史,モタハルマズンデル,寺川澄雄,今井繁規,小林光,硝酸酸化薄膜を界面層に用いた20 nm積層型ゲート絶縁膜とサブミクロンのゲート長を持つ超低消費電力型薄膜トランジスタの特性,第71回応用物理学会学術講演会,長崎,2010年9月14日~17日.

H. Kobayashi, New chemical method for improvement of Si solar cell efficiency, Nanofair 2010-Workshop, Commercialising Future Technologies for Energy and Energy Efficiency“, Dresden, Germany, Jul. 7-8, 2010.

髙橋昌男,東裕子,成田比呂晃,岩佐仁雄,小林光,欠陥消滅型半導体洗浄液によるシリコン材料表面の汚染除去:電子情報通信学会電子デバイス研究会,石川,2010年3月17日~20日.

高橋昌男,東裕子,岩佐仁雄,小林光,ppmオーダのHCN水溶液によるSiO2表面の汚染銅除去:銅の化学結合状態, 第57回応用物理学関係連合講演会,神奈川,2010年3月20日~23日.

大仲亜由美,高橋昌男,岩佐仁雄,小林光,金属触媒作用によるシリコン表面への構造転写と反射率の低減, 第57回応用物理学関係連合講演会,神奈川,2010年3月17日~20日 

ポスター
発表

深谷洋介,松本健俊,柳瀬隆,松本健俊,小林光,硝酸酸化(NAOS)法を用いた5-10 nm SiO2/Si構造の低温創製,第30回表面科学学術講演会,大阪,2010114日~6.

惠淑,松本健俊,岩佐仁雄,小林光,気相硝酸酸化法により低温形成したSiO2/Si構造の低温創製,第30回表面科学学術講演会,大阪,2010114日~6.

金昌鍋,金佑柄,髙橋昌男,小林光,硝酸酸化法を用いる表面パッシベーション効果によるシリコン太陽電池の高効率化,第30回表面科学学術講演会,大阪,2010114日~6.

惠淑,松本健俊,岩佐仁雄,小林光,気相硝酸酸化(NAVOS)法によるSiO2/4H-SiC構造の低温創製,SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会 第19回講演会,茨城,20101021日~22.

HCN 水溶液による SiO2表面の極微量汚染銅の除去と銅の化学状態,高橋昌男,東祐子,岩佐仁雄,小林光,第13回EXFAS討論会,滋賀,2010年9月4日~6日.

H. Kobayashi, T. Matsumoto, W.-B. Kim, M. Takahashi, New chemical methods for improving Si solar cell characteristics, Nanofair 2010-8th International Nanotechnology Symposium, Dresden, Germany, Jul. 6-7, 2010.


T. Matsumoto M. Yamada, H. Tsuji, Y. Kubota, S. Imai, S. Terakawa, H. Kobayashi, Ultralow power thin film transistors (TFTs) with stacked gate oxide formed by the nitric acid oxidation of Si (NAOS) method, International Conference on Core Research and Engineering Science of Advanced Materials, Osaka, May. 30-Jun. 4, 2010.

松本健俊,山田幹浩,辻 博史,モタハルマズンデル,寺川澄雄,今井繁規,小林 光,硝酸酸化法によるゲート酸化膜の低温創成と薄膜トランジスタの超低消費電力化,57回応用物理学関係連合講演会,神奈川,2010317日~20.

田中峻介,松本健俊,岩佐仁雄,小林 光, 気相硝酸酸化法による~3 nm SiO2/Si構造の低温創製, 57回応用物理学関係連合講演会,神奈川,2010317日~20.

 受賞  

髙橋昌男,第8回DV-Xa研究協会学術賞,2010/8/6

 新聞発表

12/9 朝日新聞
液晶制御電力1%以下に

12/9 読売新聞
液晶の素子省エネ化 阪大消費電力1/100以下に

12/9 日刊工業新聞
TFT消費電力1/144 阪大、硝酸酸化法で新技術

12/9 
日経産業新聞
液晶の消費電力1/144 阪大主力のTFF方式で

12/9 
毎日新聞
超薄膜消費電力144分の1 液晶用トランジスタ阪大が新製法

10/13 日刊工業新聞
環境に配慮したシステム・機器

6/28 読売新聞
太陽電池の金属片完全除去 阪大開発

6/22 
大阪日日新聞
シリコン洗浄新技術開発 太陽電池効率アップ 阪大産業科学研が発表

6/22 毎日新聞
阪大教授ら半導体洗浄技術 青酸利用で安くて安全

6/22 産経新聞
太陽電池高効率化 阪大研が技術開発

6/22 
日経産業新聞
太陽電池、効率1割改善 阪大、シリコン洗浄法開発

6月22日 日刊工業新聞
シリコン表面の汚染除去 阪大が洗浄技術 太陽電池、効率を向上


・2009年
論文

R. Brunner, H. Kobayashi, M. Kucera, M. Takahashi, J. Rusnak, and E. Pincik, Photoluminescence of passivated a-Si:H, Mater. Sci. Forum 609 (2009) 281-285.
[DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.281]


W.-B. Kim, T. Matsumoto, and H. Kobayashi, Ultrathin SiO2 layer with an extremely low leakage current density formed in high concentration nitric acid, J. Appl. Phys. 105 (2009) 103709-1-6.
[DOI: 10.1063/1.3130596]


S. Jurecka, H. Kobayashi, M. Takahashi, R. Brunner, M. Madani, and E. Pincik, On topographic properties of semiconductor surfaces and thin film systems, Mater. Sci. Forum 609 (2009) 275-279.
[DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.275].


J. Rusnak, M. Ruzinsky, K. Imamura, T. Matsumoto, M. Stefecka, M. Takahashi, H. Kobayashi, and E. Pincik, Investigation of deep interface traps in very-thin oxide/Si structures prepared at low temperatures using chemical solutions, Mater. Sci. Forum 609 (2009) 123-127.
[DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.123]


E. Pincik, H. Kobayashi, R. Brunner, M. Takahashi, J. Rusnak, and M. Jergel, On similar electrical, optical and structural properties of MOS structures prepared on a-Si:H/c-Si, porous silicon/c-Si, and c-Si, Mater. Sci. Forum 609 (2009) 11-25.
[DOI: 10.4028/www.scientific.net/MSF.609.11]


S. Jurecka, M. Jureckova, F. Chovanec, H. Kobayashi, M.Takahashi, M. Mikula, and E. Pincik, On the tpographic and optical properties of
SiC/SiO2 surface, Cent. Eur. J. Phys. 7 (2009) 321-326.
[DOI: 10.2478/s11534-009-0021-0] (Open Access)


P. Bury, H. Kobayashi, M. Takahashi, K. Imamura, P. Sidor, and F. Cermobila, Acoustic spectroscopy and electrical characterization of SiO2/Si structures with ultrathin SiO2 layers formed by nitric acid oxidation, Cent. Eur. J. Phys. 7 (2009) 237-241.
[DOI: 10.2478/s11534-009-0029-5] (Open Access)

M. Takahashi, T. Shishido, H. Iwasa, and H. Kobayashi, Passivation of defect states in surface and edge regions on pn-junction Si solar cells by use of hydrogen cyanide solutions, Cent. Eur. J. Phys. 7 (2009) 227-231.
[DOI: 10.2478/s11534-009-0025-9]


K. Imamura, M. Takahashi, S. Imai, and H. Kobayashi, Band alignment of SiO2/Si structure formed with nitric acid vapor below 500ºC, Surf. Sci. 603 (2009) 968-972.
[DOI: 10.1016/j.susc.2009.01.026]

著書・総説

T. Matsumoto, Asuha, W.-B. Kim, M. Yamada, S Imai, S. Terakawa, and H. Kobayashi, Low temperature formation of SiO2 thin films by nitric acid oxidation of Si (NAOS) and application to thin film transistor (TFT), Microelectron. Eng. 86 (2009) 1939-1941.

 招待講演

T. Matsumoto, T. Iwata. S. Terakawa and H. Kobayashi, Nitric acid oxidation of Al thin film to form Al2O3/Al structure at room temperature, Progress in Surface, Interface and Thin Film Science 2009, Florence, Italy, Nov. 16-19, 2009.

M. Takahashi, Local structures around nickel contaminants on SiO2 surfaces and mechanism of nickel removal by dilute hydrocyanic acid aqueous solutions, Progress in Surface, Interface and Thin Film Science 2009, Florence, Italy, Nov. 16-19, 2009.

H. Kobayashi, Nitric acid oxidation of Si (NAOS) method for the formation of gate oxides in TFT, Progress in Surface, Interface and Thin Film Science 2009, Florence, Italy, Nov. 16-19, 2009.

H. Kobayashi, Defect Passivation Etch-less Cleaning for Semiconductor Devices: Zero Emission Process, International Symposium on Advanced Ceramics and Technology for Sustainable Energy Application, Taipei, Taiwan, Nov. 1-4, 2009.

M. Takahashi, Semiconductor surface cleaning by ppm order-defect passivation etchless solutions, VI International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, Zakopane, Poland, Sep. 13-16, 2009.

H. Kobayashi, Nitric acid oxidation of Si method for fabrication of Si/SiO2 structure at 120˚C and its application to thin film transistors, VI International Workshop on Semiconductor Surface Passivation, Zakopane, Poland, Sep. 13-16, 2009.

H. Kobayashi, Defect passivation etch-less cleaning method for improvement of Si solar cell characteristics, The 6th International Conference on High-Performance Ceramics, Harbin, China, Aug. 16-19, 2009.

口頭発表

東裕子,高橋昌男,岩佐仁雄,小林光,稀薄なHCN水溶液を用いるSiO2表面の汚染銅除去,第29回表面科学会学術講演会,東京,2009年10月27日~29日.

高橋昌男,東裕子,劉玥伶,小林光,HCN水溶液によるSiO2表面の吸着Ni除去機構,2009年秋季日本物理学会応用物理学会学術講演会,熊本,2009年9月25日~28日.

高橋昌男,東裕子,劉玥伶,小林光,HCN水溶液によるSiO2表面の吸着Ni除去機構,2009年秋季日本物理学会応用物理学会学術講演会,熊本,2009年9月25日~28日.

岩田隆,松本健俊,寺川澄雄,小林光,硝酸酸化法による
Al2O3/Al構造の室温形成,2009年秋季日本物理学会応用物理学会学術講演会,熊本,2009年9月25日~28日.


金 佑柄,松本健俊,小林 光,98%硝酸で形成した低リーク電流を持つ極薄SiO2/Si構造,2009年秋季日本物理学会応用物理学会学術講演会,熊本,2009年9月25日~28日.

M.K. Mazumder, W.-B. Kim, Asuha, T. Matsumoto and H. Kobayashi, Low temperature formation of ultrathin SiO2 films on Si surfaces for gate oxide of transistors by nitric acid oxidation of Si (NAOS) method, The 17th Conference of Crystal Growth and Epitaxy, Lake Geneva, USA, Aug. 10-13, 2009.

松本健俊,山田幹浩,辻博史,寺川澄雄,小林光,硝酸酸化を用いたゲート絶縁膜の形成による薄膜トランジスタの低電圧化,第70回応用物理学関係連合講演会,富山,2009年9月8日~11日.

高橋昌男,岩佐仁雄,小林光,希薄な欠陥消滅型半導体洗浄液によるSiO2表面上の汚染ニッケル除去反応,第70回応用物理学関係連合講演会,富山,2009年9月8日~11日.

T. Matsumoto, W.-B. Kim, T. Yanase, Y. Fukaya, Asuha, M. Takahashi and H. Kobayashi,Low temperature formation of SiO2 thin films by nitric acid oxidation of Si (NAOS) and application to thin film transistor (TFT), INFOS2009, Cambridge, UK, Jun. 29-Jul. 1, 2009.

金佑柄,西山雅祥,小林光,SiO2/Si構造のSi 2pスペクトル:金属オーバーレイヤーによるチャージングの防止,第56回応用物理学関係連合講演会,つくば,2009年3月30日~4月2日.

松本健俊,山田幹浩,長山,寺川澄雄,小林光,短時間共沸硝酸酸化法によりSi(100)上に形成した低リーク電流をもつ極薄酸化膜,第56回応用物理学関係連合講演会,つくば,2009年3月30日~4月2日.

金佑柄,松本健俊,小林 光,98%硝酸蒸気で形成した低リーク電流を持つ極薄SiO2/Si構造,第56回応用物理学関係連合講演会,つくば,2009年3月30日~4月2日.

柳瀬隆,松本健俊,小林光,新規硝酸酸化法による低リーク電流をもつSiO2/Si構造の低温形成,第56回応用物理学関係連合講演会,つくば,2009年3月30日~4月2日.

 ポスター
発表
Y. Fukaya, Low temperature fabrication of thick SiO2 layer using modified nitric acid oxidation of silicon (NAOS) method, Progress in Surface, Interface and Thin Film Science 2009, Florence, Italy, Nov. 16-19, 2009.

W.-B. Kim, Electrical and physical properties of ultrathin (<=1.5 nm) SiO2 layer fabricated with high concentration nitric acid (HNO3), Progress in Surface, Interface and Thin Film Science 2009, Florence, Italy, Nov. 16-19, 2009.

S. Imai, HNO3 concentration dependence of electrical characteristics for SiO2/Si structure fabricated by nitric acid oxidationmethod at 120ºC, Progress in Surface, Interface and Thin Film Science 2009, Florence, Italy, Nov. 16-19, 2009.

T. Matsumoto, W.-B. Kim, T. Yanase, Y. Fukaya, Asuha, M. Takahashi and H. Kobayashi, Nitric acid oxidation of Si (NAOS) method to form gate insulators in Si devices at 120°C, International Symposium of Post-Silicon Materials and Devices Research Alliance Project, Osaka, Japan, Sep. 5-6, 2009.

T. Matsumoto, M. Yamada, H. Tsuji, S. Imai, S. Terakawa and H. Kobayashi, Stacked gate oxide in thin film transistors (TFTs) formed by thee nitric acid oxidation of Si (NAOS) method, The 5th Handai Nanoscience and Nanotechnology International Symposium, Osaka, Japan, Sep. 1-3, 2009.

Y. Higashi, M. Takahashi, H. Iwasa, and H. Kobayashi, New semiconductor cleaning method by use of ppm order HCN solutions, The 12th SANKEN International Symposium, Osaka, Jan. 22, 2009.

T. Matsumoto, W.-B. Kim, T. Yanase, Y. Fukaya, Asuha, M. Takahashi, and H. Kobayashi, Nitric acid oxidation of Si (NAOS) method to form gate insulators in Si devices at 120°C, The 12th SANKEN International Symposium, Osaka, Jan. 22, 2009.
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