装置紹介

電子線描画装置

設置場所:ナノテク棟4F ナノファウンダリクリーンルーム

電子線描画装置:75 keV (25, 50 keVに切替可)電子線を露光源とし、最小線幅10 nmの直接描画可能な露光装置。2 cm角からφ6インチウェハまで対応可能。
レーザー干渉計搭載ステージにより、広範囲高精度露光可能。
レストプロセスにより、各種微細加工が可能。

集束イオンビーム

設置場所: ナノテク棟4F ナノファウンダリクリーンルーム

イオンビームを露光源とし線幅50nmの直接描画可能な露光装置。
レジストプロセスを必要とせず、直接サンプルを加工することが可能。
サンプルを削るだけでなく、ディポジションにより、3次元造形も可能である。

X線回析装置

設置場所: 第2研究棟3F-S315

薄膜ナノ構造解析装置は、試料水平型ゴニオを搭載し、既存の装置ではできなかったインプレーンスキャンによる面内構造解析に特化した仕様でありながら、感度の低下があるもののそのままでも面外回折測定も行える汎用性の高い装置です。
アタッチメントを変更すると、高感度での面外回折測定も可能となります。
定性評価、配向評価、結晶性評価、残留応力評価、その他(密度、ラフネス等)の測定等も可能です。
分光エリプソメーター

設置場所: 第2研究棟3F-S315

位相変調技術に基づき、紫外域190nmから近赤外域2100nmまでの広範囲な波長域をカバーしており、全波長域に渡って高品質な測定データを採取することができます。
吸収、発光が可視域にある薄膜でも、近赤外領域の波長を用いることができるため、精度良く測定できます。解析用のパラメータはライブラリーを参照することで、多様な材料に対応でき、新規材料の場合も精度良く解析が行えます。
測定領域は2x6mmとなっています。

LED描画装置

設置場所: 第2研究棟3F-S313

最高輝度のLEDとDMD(デジタルミラーデバイス)によりパターン生成する最小描画線幅0.54umの光描画装置。
大型レーザーステージを装備し、4インチ全域を約1時間
で描画(OFPR-5000レジストを用いる場合)

FT/IR

設置場所: 第2研究棟3F-S315

マイケルソン干渉計による光強度のフーリエ変換により、近赤外〜遠赤外の吸収スペクトル等を計測できる装置。赤外領域にある振動・回転吸収スペクトルにより、有機分子等の化学式・構造・状態の同定が可能。
測定波長領域:近赤外〜遠赤外(波長0.7〜45μm、波数15,000〜220cm-1)
検出部:焦電型検出器、光電型検出器(液体窒素冷却)

粒子径・ゼータ―電位・分子量測定装置

設置場所: 第2研究棟3F-S315

0.1ppmの超希薄系から40wt%の濃厚系で、最小12μlの微量
サンプル中のナノ粒子径を動的光散乱法では0.6 nm〜6μmの範囲、ゼータ電位測定法では3nm〜10μmの範囲で高精度に測定し評価する装置

赤外・テラヘルツ時間分解分光装置

設置場所: 第2研究棟3F-S315

本装置は1ps以下の高時間分解能を有し、有機物・薬物・生体材料などの透過スペクトルから分子間振動や水素結合による振動モード解析をしたり、半導体・無機材料などの複素誘電率・複素屈折率を測定することができる。
電磁石搭載型低温プロ―バー

設置場所: 第2研究棟3F-S315

温度(77 K-400 K)、磁場(0-5,000 Oe)を制御し、
4本のプローバー端子を用いて、電子材料・デバイスの電流電圧特性・誘電特性を高精細
(数十fAレベル)で測定する装置。光照射、ゲート電圧印加(50Vまで)も可能。
ナノインプリント微細加工装置

設置場所: ナノテク棟4F ナノファウンダリクリーンルーム

UV(波長250〜450nm)と熱室温〜200℃)を使って、最大3インチの微細パターンを転写可能な装置。
また、エア加圧最大50bar)なので基盤全面に均一に転写がすることができ、異物によるモールドの破損が少ない