トップゲート構造型のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタを作製するためには
カーボンナノチューブを絶縁膜で覆う必要がありますが、
一般的なプラズマCVD装置ではプラズマがナノチューブを破壊してしまうので使用できません。
我々の研究室では、Cat-CVD装置を用いて高品質のシリコン窒化膜を形成しています。
1600℃以上の加熱触媒体で原料ガスを分解するしくみになってるためカーボンナノチューブを破壊しません。
この装置では基板表面温度が65℃という非常に低い温度でも高品質のシリコン窒化膜を形成できます。