新M1、山中 天志君、新4年生、野中 信君、鈴木 寿弥君が田中研に配属されました！
修士論文発表会で、樋口 敬之君（M2)が「基礎工学研究科賞」を受賞しました！！ 修了式にて、表彰されました。おめでとう！！
・第６5回 応用物理学会春季学術講演会 (at 東京都) 、6.3 酸化物エレクトロニクスのセッションにて下記の内容で学生が発表を行ないました。
3/20 玄地 真悟(B4) [20a-C102-1] 六方晶窒化ホウ素上におけるVO2薄膜の成長と評価
3/20 安西 勇人(M1) [20a-C102-2] 六方晶窒化ホウ素をゲート絶縁膜として用いたVO2-FETにおける高効率抵抗変調
3/20 辻 佳秀(M1) [20a-C102-7]TiO2(001)基板上のナノ電極ギャップ単結晶VO2ナノワイヤーにおける巨大抵抗跳躍の観測
3/20 村岡 敬太(M1) [20a-C102-8]エピタキシャルVO2薄膜におけるPt触媒水素ドーピングによる巨大抵抗変調
3/20 川本 大樹(M1) [20p-C102-10]SmNiO3-EDLTにおけるワイドレンジ精密抵抗変調制御
Weiさん（博士後期課程修了生)の研究成果 “Enhanced electronic-transport modulation in single-crystalline VO2 nanowire-based solid-state field-effect transistors “が、Sci. Rep. 7, 17215 (2017). に掲載されました
Rupali Rakshit 研究員が着任しました。
坪田君（修士修了生)の研究成果 “Enhancement of discrete changes in resistance in engineered VO2 heterointerface nanowall wire “が、App. Phys. Exp. 10, 115001 (2017). に掲載されました。
共同研究で行っている中川原さん（村田製作所）の研究成果 “Epitaxial crystallization of self-assembled ZnO?NiO nanopillar system “が、App. Phys. Exp. 10, 0075501 (2017). に掲載されました。