新着情報

修士論文発表会で、村岡　敬太君（M2)が「基礎工学研究科賞」を受賞しました！！　
修了式にて、表彰されました。おめでとう！！

玄地君（M１）の研究成果 “Growth of vanadium dioxide thin films on hexagonal boron nitride flakes as transferrable substrates”が、Sci. Rep 9, 2857 (2019) に掲載されました。

基礎工学部　物性物理出身の産研配属4年生の卒業発表会を行いました。
野中君、鈴木君が、この一年の研究成果を発表しました。

山本助教の研究成果 “Gate-Tunable Thermal Metal?Insulator Transition in VO2 Monolithically Integrated into a WSe2 Field-Effect Transistor”が、ACS App. Mater. & Inter. 11, 3324 (2019). に掲載されました。

川本君（M2）の研究成果 “Correlation between Ni Valence and Resistance Modulation on a SmNiO3 Chemical Transistor”が、ACS Appl. Electron. Mater. 1, 82 (2019). に掲載されました。

服部助教の研究成果 “Fabrication of the electric double layer transistor with (La,Pr,Ca)MnO3 nanowall wire channel”が、Mod. Phys. Lett. B 32, 1840058 (2018). に掲載されました。

竹本　昌平研究員と余　博源研究生が着任しました。よろしくお願いします！

A.S.Borowiak研究員の研究成果”Surface analysis of self-assembled ZnO-NiO nanostructures”が、Surf. Sci. 679, 6-10 (2019).
に掲載されました。

近成君（M2）の研究成果 “Enhancement of electronic-transport switching in single-crystal narrower VO2　nanowire channels through side-gate electric fields”が、App. Phys. Lett. 113, 053102 (2018). に掲載されました。

樋口君（M2卒業生）の研究成果 “Formation of single-crystal VO2 thin films on MgO(110) substrates using ultrathin TiO2 buffer layers “が、App. Phys. Exp. 11, 085503 (2018). に掲載されました。