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ナノ機能材料デバイス研究分野(田中研)

Department of Functional Nanomaterials and Nanodevices

スタッフ


  • 教授 田中 秀和
    Prof.
    Hide. TANAKA
  • Photo
    准教授 神吉 輝夫
    Assoc. Prof.
    T. KANKI
  • Photo
    助教 服部 梓
    Assis. Prof.
    A. HATTORI
  • Photo
    助教 山本 真人
    Assis. Prof.
    M.YAMAMOTO

研究内容

原子・分子配列を直接的に制御するボトムアップ手法によりナノ構造を形成し、機能をナノレベルで有機的に連携する方法論を確立することにより、従来の原理を超えた機能を発現するマテリアル・デバイスの創出を行う。
(1) Siに無い機能を有するエキゾティクマテリアルに対し、ボトムアップナノテクノロジーの1つである原子・分子層制御人工格子形成技術を駆使し、空間的、エネルギーレベル的に最適な配置・組み合わせを考慮した原子・分子配列を有するナノ機能材料を創製する。量子効果が支配的となるナノスケールにおいて物質の性質を設計することにより、従来に無い、あるいは凌駕する機能を創出し、その発現機構を明らかにする。(2) 人工格子結晶成長法(ボトムアップ・ナノプロセス)とナノ加工技術(トップダウン・ナノプロセス)とを融合し、ナノ機能材料を望みの位置に、3次元方向総てに制御して形成することにより機能集積された新奇ナノデバイスを構築する。(3)上記のナノ機能材料デバイスを用いたスピンエレクトロニクス、省・創エネルギーデバイス、生体類似機能デバイス応用に関する研究を行っている。

研究課題

  1. 1.原子・分子層制御結晶成長による人工格子・ヘテロ構造ナノ機能材料の制御形成
  2. 2.ボトムアップ/トップダウンナノプロセス融合による新奇ナノデバイス形成
  3. 3.エキゾティクマテリアルに於けるナノスケール界面・ナノ構造と物性相関の評価
  4. 4.環境調和・機能性酸化物エレクトロニクス・生体類似機能デバイス

図・グラフ

  • Fig.1
    (a)酸化ナノワイヤ(電子相転移VO2)、(b) 酸化物ナノFET(VO2)、(c) 酸化物ナノヘテロワイヤ(強磁性(Fe,Zn)3O4)、(d)酸化物ナノボックス(発光半導体ZnO)
    (a) Nanowire, (b) Nanowire field effect transistor with side gates, (c) Hetero-nanowire, (d) Nano-Box

紹介ビデオ

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  • 教授 田中 秀和
    Prof.
    Hide. TANAKA
  • Photo
    准教授 神吉 輝夫
    Assoc. Prof.
    T. KANKI
  • Photo
    助教 服部 梓
    Assis. Prof.
    A. HATTORI
  • Photo
    助教 山本 真人
    Assis. Prof.
    M.YAMAMOTO

研究内容

原子・分子配列を直接的に制御するボトムアップ手法によりナノ構造を形成し、機能をナノレベルで有機的に連携する方法論を確立することにより、従来の原理を超えた機能を発現するマテリアル・デバイスの創出を行う。
(1) Siに無い機能を有するエキゾティクマテリアルに対し、ボトムアップナノテクノロジーの1つである原子・分子層制御人工格子形成技術を駆使し、空間的、エネルギーレベル的に最適な配置・組み合わせを考慮した原子・分子配列を有するナノ機能材料を創製する。量子効果が支配的となるナノスケールにおいて物質の性質を設計することにより、従来に無い、あるいは凌駕する機能を創出し、その発現機構を明らかにする。(2) 人工格子結晶成長法(ボトムアップ・ナノプロセス)とナノ加工技術(トップダウン・ナノプロセス)とを融合し、ナノ機能材料を望みの位置に、3次元方向総てに制御して形成することにより機能集積された新奇ナノデバイスを構築する。(3)上記のナノ機能材料デバイスを用いたスピンエレクトロニクス、省・創エネルギーデバイス、生体類似機能デバイス応用に関する研究を行っている。

研究課題

  1. 1.原子・分子層制御結晶成長による人工格子・ヘテロ構造ナノ機能材料の制御形成
  2. 2.ボトムアップ/トップダウンナノプロセス融合による新奇ナノデバイス形成
  3. 3.エキゾティクマテリアルに於けるナノスケール界面・ナノ構造と物性相関の評価
  4. 4.環境調和・機能性酸化物エレクトロニクス・生体類似機能デバイス

図・グラフ

  • Fig.1
    (a)酸化ナノワイヤ(電子相転移VO2)、(b) 酸化物ナノFET(VO2)、(c) 酸化物ナノヘテロワイヤ(強磁性(Fe,Zn)3O4)、(d)酸化物ナノボックス(発光半導体ZnO)
    (a) Nanowire, (b) Nanowire field effect transistor with side gates, (c) Hetero-nanowire, (d) Nano-Box

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