研究紹介

最先端半導体リソグラフィで問題となっているラインエッジラフネスと呼ばれる線幅揺らぎの発生メカニズムを解明しました。

次世代リソグラフィ開発において最大の課題となっているストカスティック欠陥の発生メカニズムを解明しました。
量子ビーム物質科学研究分野では、最先端の量子ビーム(電子線、EUV、レーザー、放射光、X線、ガンマ線、イオンビーム)を利用して、シングルナノの空間領域や高温高圧状態・超臨界状態といった極限下において量子ビームが物質に引き起こす化学反応と反応場の研究を行っています。量子ビームによる物質へのエネルギー付与から、化学反応を経て、機能発見に至るまでの化学反応システムを解明し、得られた知見から新規化学反応システムの構築を行い、材料・プロセス開発に役立てています。 材料・プロセス開発においては、最先端半導体デバイス製造に用いられるEUVリソグラフィ用の微細加工材料、プロセスの研究開発を行っています。カーボンニュートラルの達成には今後指数関数的に増え続けるデジタル情報の処理に要する電力を削減することが必須であり、微細加工技術は高性能デバイス製造のための基幹技術です。
2010年4月 - 現在 | 大阪大学産業科学研究所 教授 |
2005年4月 - 2010年3月 | 大阪大学産業科学研究所 准教授 |
2002年4月 - 2005年3月 | 大阪大学産業科学研究所 助教授 |
1995年4月 - 2002年3月 | 大阪大学産業科学研究所 助手 |
1992年10月 - 1995年3月 | 東京大学大学院工学系研究科システム量子工学専攻 助手 |