研究紹介
最先端半導体リソグラフィで問題となっているラインエッジラフネスと呼ばれる線幅揺らぎの発生メカニズムを解明しました。
次世代リソグラフィ開発において最大の課題となっているストカスティック欠陥の発生メカニズムを解明しました。